一种高速读写RAM的接口电路及方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610970631.5
申请日
2016-10-28
公开(公告)号
CN106571156B
公开(公告)日
2017-04-19
发明(设计)人
张洪波 张晋文 赵满怀
申请人
申请人地址
102209 北京市昌平区北七家未来科技城南区中国电子网络安全和信息化产业基地C栋
IPC主分类号
G11C710
IPC分类号
G11C722
代理机构
代理人
法律状态
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国省代码
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