活动磁场电弧离子镀与高功率脉冲磁控溅射复合沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711492508.8

申请日：

2017-12-30

公开(公告)号：

CN109989030A

公开(公告)日：

2019-07-09

发明(设计)人：

魏永强王好平宗晓亚张新国刘学申蒋志强

申请人：

申请人地址：

450015 河南省郑州市二七区大学中路2号郑航家属院26号楼4单元2楼

IPC主分类号：

C23C1432

IPC分类号：

C23C1435 C23C1434

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-09	公开	公开
2019-08-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/32 申请日:20171230

共 50 条

[1]

组合磁场电弧离子镀与高功率脉冲磁控溅射复合沉积方法 [P].

魏永强 ;

王好平 ;

宗晓亚 ;

张华阳 ;

侯军兴 ;

蒋志强 .

中国专利 :CN109989009A ,2019-07-09

[2]

活动磁场的电弧离子镀与孪生靶高功率脉冲磁控溅射方法 [P].

魏永强 ;

王好平 ;

宗晓亚 ;

侯军兴 ;

张华阳 ;

蒋志强 .

中国专利 :CN109989041A ,2019-07-09

[3]

活动磁场电弧离子镀与高功率脉冲磁控溅射复合沉积装置 [P].

魏永强 ;

王好平 ;

宗晓亚 ;

张新国 ;

刘学申 ;

蒋志强 .

中国专利 :CN214115699U ,2021-09-03

[4]

组合磁场的电弧离子镀与孪生靶高功率脉冲磁控溅射方法 [P].

魏永强 ;

王好平 ;

宗晓亚 ;

侯军兴 ;

刘源 ;

蒋志强 .

中国专利 :CN109989027A ,2019-07-09

[5]

组合磁场电弧离子镀与高功率脉冲磁控溅射复合沉积装置 [P].

魏永强 ;

王好平 ;

宗晓亚 ;

张华阳 ;

侯军兴 ;

蒋志强 .

中国专利 :CN215593173U ,2022-01-21

[6]

活动磁场的电弧离子镀与孪生靶高功率脉冲磁控溅射装置 [P].

魏永强 ;

王好平 ;

宗晓亚 ;

张华阳 ;

侯军兴 ;

蒋志强 .

中国专利 :CN215593176U ,2022-01-21

[7]

多级磁场电弧离子镀和高功率脉冲磁控溅射复合沉积方法 [P].

魏永强 ;

宗晓亚 ;

蒋志强 ;

吴忠振 ;

侯军兴 .

中国专利 :CN104947046B ,2015-09-30

[8]

电弧离子镀和高功率脉冲磁控溅射复合的沉积方法 [P].

魏永强 ;

宗晓亚 ;

蒋志强 ;

吴忠振 .

中国专利 :CN104862653A ,2015-08-26

[9]

多级磁场离子镀和孪生靶高功率脉冲磁控溅射复合方法 [P].

魏永强 ;

宗晓亚 ;

魏永辉 ;

吴忠振 ;

侯军兴 ;

蒋志强 ;

符寒光 .

中国专利 :CN105908135A ,2016-08-31

[10]

多级磁场电弧离子镀和射频磁控溅射复合沉积方法 [P].

魏永强 ;

宗晓亚 ;

蒋志强 ;

吴忠振 ;

刘源 .

中国专利 :CN104975263A ,2015-10-14

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