一种耐压氮化镓功率器件、制备方法及芯片

被引：0

申请号：

CN202211310769.4

申请日：

2022-10-25

公开(公告)号：

CN115588688A

公开(公告)日：

2023-01-10

发明(设计)人：

刘杰黄汇钦

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2920 H01L29778 H01L21335

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

阳方玉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20221025
2023-01-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氮化镓功率器件、制备方法及芯片 [P].

刘杰 ;

黄汇钦 .

中国专利 :CN115548100A ,2022-12-30

[2]

一种双通道氮化镓功率器件、制备方法及芯片 [P].

刘杰 ;

黄汇钦 .

中国专利 :CN115548098A ,2022-12-30

[3]

一种氮化镓功率器件、制备方法及芯片 [P].

王威 ;

黄汇钦 .

中国专利 :CN115548096A ,2022-12-30

[4]

一种GaN HEMT功率器件、制备方法及芯片 [P].

刘杰 ;

黄汇钦 .

中国专利 :CN115663018A ,2023-01-31

[5]

氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件 [P].

刘君梦 ;

叶念慈 ;

刘成 ;

王哲力 ;

梁玉玉 .

中国专利 :CN118280836A ,2024-07-02

[6]

氮化镓功率器件及其制造方法 [P].

孙娜 ;

高绪兵 .

中国专利 :CN113555356A ,2021-10-26

[7]

基于氮化镓芯片、芯片制备方法及氮化镓功率器件、电路 [P].

侯召政 ;

王汉星 ;

唐高飞 .

中国专利 :CN114730803A ,2022-07-08

[8]

耐压的氮化镓功率器件的结构、芯片及电子设备 [P].

李孟泽 ;

黄伟宗 .

中国专利 :CN117690793B ,2024-06-11

[9]

耐压的氮化镓功率器件的结构、芯片及电子设备 [P].

李孟泽 ;

黄伟宗 .

中国专利 :CN117690793A ,2024-03-12

[10]

一种氮化镓功率器件结构及其制备方法 [P].

陈兴 ;

王东 ;

吴勇 ;

汪琼 ;

陆俊 ;

何滇 ;

严伟伟 ;

曾文秀 ;

张进成 .

中国专利 :CN110854193A ,2020-02-28

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