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一种氮化镓功率器件、制备方法及芯片
被引:0
申请号
:
CN202211312123.X
申请日
:
2022-10-25
公开(公告)号
:
CN115548100A
公开(公告)日
:
2022-12-30
发明(设计)人
:
刘杰
黄汇钦
申请人
:
申请人地址
:
610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L2920
H01L29778
H01L21335
代理机构
:
深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414
代理人
:
阳方玉
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2023-01-20
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20221025
2022-12-30
公开
公开
共 50 条
[1]
一种耐压氮化镓功率器件、制备方法及芯片
[P].
刘杰
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘杰
;
黄汇钦
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黄汇钦
.
中国专利
:CN115588688A
,2023-01-10
[2]
一种双通道氮化镓功率器件、制备方法及芯片
[P].
刘杰
论文数:
0
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刘杰
;
黄汇钦
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0
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0
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0
黄汇钦
.
中国专利
:CN115548098A
,2022-12-30
[3]
一种氮化镓功率器件、制备方法及芯片
[P].
王威
论文数:
0
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0
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王威
;
黄汇钦
论文数:
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黄汇钦
.
中国专利
:CN115548096A
,2022-12-30
[4]
氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件
[P].
刘君梦
论文数:
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
刘君梦
;
叶念慈
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
叶念慈
;
刘成
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
刘成
;
王哲力
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
王哲力
;
梁玉玉
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0
机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
梁玉玉
.
中国专利
:CN118280836A
,2024-07-02
[5]
基于氮化镓芯片、芯片制备方法及氮化镓功率器件、电路
[P].
侯召政
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侯召政
;
王汉星
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王汉星
;
唐高飞
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唐高飞
.
中国专利
:CN114730803A
,2022-07-08
[6]
一种氮化镓功率器件的制备方法
[P].
刘扬
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刘扬
;
张琦
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张琦
.
中国专利
:CN113658859A
,2021-11-16
[7]
一种氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
张春伟
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张春伟
;
姚钟博
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姚钟博
;
向振宇
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向振宇
;
郭海君
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郭海君
;
李阳
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李阳
;
岳文静
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岳文静
;
高嵩
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高嵩
;
阚皞
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阚皞
.
中国专利
:CN113270480B
,2021-08-17
[8]
一种氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
麻胜恒
论文数:
0
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机构:
中科(深圳)无线半导体有限公司
中科(深圳)无线半导体有限公司
麻胜恒
;
吴义针
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机构:
中科(深圳)无线半导体有限公司
中科(深圳)无线半导体有限公司
吴义针
;
汪连山
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机构:
中科(深圳)无线半导体有限公司
中科(深圳)无线半导体有限公司
汪连山
.
中国专利
:CN121038322A
,2025-11-28
[9]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
林育赐
论文数:
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
林育赐
;
李伟聪
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
李伟聪
;
姜春亮
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
姜春亮
;
梁志锦
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
梁志锦
.
中国专利
:CN120379296B
,2025-09-05
[10]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
林育赐
论文数:
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
林育赐
;
李伟聪
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
李伟聪
;
姜春亮
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
姜春亮
;
梁志锦
论文数:
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0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
梁志锦
.
中国专利
:CN120379296A
,2025-07-25
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