以SiC为基底的结构化石墨烯制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210159246.4

申请日：

2012-05-22

公开(公告)号：

CN102723258A

公开(公告)日：

2012-10-10

发明(设计)人：

郭辉张克基张玉明张凤祁邓鹏飞雷天民

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C01B3104

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-10	公开	公开
2015-07-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101718164474 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2012101592464 申请公布日:20121010
2012-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101359124906 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2012101592464 申请日:20120522

共 50 条

[1]

基于Cu膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

张凤祁 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102674330A ,2012-09-19

[2]

以SiC为基底的石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

吕晋军 ;

张玉明 ;

张克基 ;

邓鹏飞 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102602923A ,2012-07-25

[3]

基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

张凤祁 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102718208A ,2012-10-10

[4]

基于Cl2反应的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

张凤祁 ;

邓鹏飞 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102674329A ,2012-09-19

[5]

基于Cu膜退火的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张克基 ;

张玉明 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102674328A ,2012-09-19

[6]

基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102653401B ,2012-09-05

[7]

基于Cl<sub>2<sub>反应的SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法 [P].

郭辉 ;

邓鹏飞 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 ;

张凤祁 .

中国专利 :CN102701789B ,2012-10-03

[8]

在3C-SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张克基 ;

张玉明 ;

张凤祁 ;

邓鹏飞 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102653885A ,2012-09-05

[9]

基于Ni膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法 [P].

郭辉 ;

邓鹏飞 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 ;

张凤祁 .

中国专利 :CN102674331A ,2012-09-19

[10]

基于Cu膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法 [P].

郭辉 ;

邓鹏飞 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 ;

张凤祁 .

中国专利 :CN102674332A ,2012-09-19

← 1 2 3 4 5 →