基于Cu膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210160190.4

申请日：

2012-05-22

公开(公告)号：

CN102674330A

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

郭辉张克基张玉明张凤祁雷天民邓鹏飞

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

C01B3104

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-19	公开	公开
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101346524107 IPC(主分类):C01B 31/04 专利申请号:2012101601904 申请日:20120522
2014-11-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101707406632 IPC(主分类):C01B 31/04 专利申请号:2012101601904 申请公布日:20120919

共 50 条

[1]

基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

张凤祁 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102718208A ,2012-10-10

[2]

基于Cu膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

赵艳黎 ;

张玉明 ;

汤小燕 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102938367A ,2013-02-20

[3]

基于Cu膜退火的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张克基 ;

张玉明 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102674328A ,2012-09-19

[4]

基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102653401B ,2012-09-05

[5]

以SiC为基底的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

张凤祁 ;

邓鹏飞 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102723258A ,2012-10-10

[6]

基于Ni膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

赵艳黎 ;

张玉明 ;

汤小燕 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102936154A ,2013-02-20

[7]

基于Cu膜退火和Cl2反应的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

张凤祁 ;

邓鹏飞 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102718207A ,2012-10-10

[8]

基于Cl<sub>2<sub>反应的SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法 [P].

郭辉 ;

邓鹏飞 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 ;

张凤祁 .

中国专利 :CN102701789B ,2012-10-03

[9]

基于Cu膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法 [P].

郭辉 ;

邓鹏飞 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 ;

张凤祁 .

中国专利 :CN102674332A ,2012-09-19

[10]

基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

邓鹏飞 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102583330B ,2012-07-18

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