基于Cu膜退火和Cl2反应的结构化石墨烯制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210159169.2

申请日：

2012-05-22

公开(公告)号：

CN102718207A

公开(公告)日：

2012-10-10

发明(设计)人：

郭辉张克基张玉明张凤祁邓鹏飞雷天民

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

C01B3104

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101359124001 IPC(主分类):C01B 31/04 专利申请号:2012101591692 申请日:20120522
2014-09-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101704826845 IPC(主分类):C01B 31/04 专利申请号:2012101591692 申请公布日:20121010
2012-10-10	公开	公开

共 50 条

[1]

基于Ni膜退火和Cl2反应的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张凤祁 ;

张玉明 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102674333B ,2012-09-19

[2]

基于Cl2反应的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

张凤祁 ;

邓鹏飞 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102674329A ,2012-09-19

[3]

基于Cu膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法 [P].

郭辉 ;

邓鹏飞 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 ;

张凤祁 .

中国专利 :CN102674332A ,2012-09-19

[4]

基于Cu膜退火的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张克基 ;

张玉明 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102674328A ,2012-09-19

[5]

基于Ni膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法 [P].

郭辉 ;

邓鹏飞 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 ;

张凤祁 .

中国专利 :CN102674331A ,2012-09-19

[6]

基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102653401B ,2012-09-05

[7]

基于Cu膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

张凤祁 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102674330A ,2012-09-19

[8]

基于Cu膜辅助退火和Cl2反应的大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

邓鹏飞 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102583329B ,2012-07-18

[9]

基于Cu膜退火的Si衬底图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张玉明 ;

赵艳黎 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102936153A ,2013-02-20

[10]

基于3C-SiC与氯气反应的Cu膜退火图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

赵艳黎 ;

张玉明 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102924119A ,2013-02-13

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