基于Cu膜退火的Si衬底图形化石墨烯制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210480633.8

申请日：

2012-11-22

公开(公告)号：

CN102936153A

公开(公告)日：

2013-02-20

发明(设计)人：

郭辉张晨旭张玉明赵艳黎雷天民张克基

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

C04B4150

IPC分类号：

C04B4185

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-20	公开	公开
2013-03-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101422717626 IPC(主分类):C04B 41/50 专利申请号:2012104806338 申请日:20121122
2014-08-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101703799155 IPC(主分类):C01B 31/04 专利申请号:2012104806338 申请公布日:20130220

共 50 条

[1]

基于Ni膜退火的Si衬底图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张玉明 ;

赵艳黎 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102938368A ,2013-02-20

[2]

基于Cu膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

赵艳黎 ;

张玉明 ;

汤小燕 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102938367A ,2013-02-20

[3]

基于Ni膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

赵艳黎 ;

张玉明 ;

汤小燕 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102936154A ,2013-02-20

[4]

基于3C-SiC与氯气反应的Cu膜退火图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

赵艳黎 ;

张玉明 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102924119A ,2013-02-13

[5]

基于Cu膜退火的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张克基 ;

张玉明 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102674328A ,2012-09-19

[6]

基于SiC与氯气反应的Cu膜退火图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

韦超 ;

张玉明 ;

赵艳黎 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102924120A ,2013-02-13

[7]

基于Ni膜退火的Si衬底上大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

胡彦飞 ;

张玉明 ;

张丰 ;

雷天民 .

中国专利 :CN103183336A ,2013-07-03

[8]

基于Cu膜退火和Cl2反应的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

张凤祁 ;

邓鹏飞 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102718207A ,2012-10-10

[9]

基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102653401B ,2012-09-05

[10]

基于Cu膜退火的Si衬底上大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

胡彦飞 ;

张玉明 ;

刘杰 ;

雷天民 .

中国专利 :CN103183523A ,2013-07-03

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