CMOS非易失存储器单元电路

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201621169580.8

申请日：

2016-11-02

公开(公告)号：

CN206194376U

公开(公告)日：

2017-05-24

发明(设计)人：

王开友吴南健冯鹏李贵柯邓元明伯林

申请人：

申请人地址：

225006 江苏省扬州市广陵开发区创业路20号A3幢

IPC主分类号：

G11C1610

IPC分类号：

代理机构：

扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222

代理人：

许必元

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	授权	授权

共 50 条

[1]

CMOS非易失存储器单元电路 [P].

王开友 ;

吴南健 ;

冯鹏 ;

李贵柯 ;

邓元明 ;

伯林 .

中国专利 :CN106571162A ,2017-04-19

[2]

非易失存储器 [P].

D·K·刘 ;

王鼎华 .

中国专利 :CN1345466A ,2002-04-17

[3]

高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器 [P].

龙冬庆 ;

吴彤彤 ;

温靖康 .

中国专利 :CN213716517U ,2021-07-16

[4]

非易失性静态存储器单元 [P].

R·库彭斯 ;

A·M·H·迪特维格 .

中国专利 :CN1809894B ,2006-07-26

[5]

基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路 [P].

温殿忠 ;

李蕾 .

中国专利 :CN103367638A ,2013-10-23

[6]

非易失存储器 [P].

李妍 ;

辻直樹 .

中国专利 :CN115064551A ,2022-09-16

[7]

非易失存储器 [P].

李妍 ;

辻直樹 .

中国专利 :CN115064551B ,2025-12-12

[8]

非易失存储器和非易失存储器制造方法 [P].

儿玉典昭 ;

田康秀 ;

金森宏治 ;

藤枝信次 ;

铃木润一 ;

户田昭夫 ;

西坂祯一郎 .

中国专利 :CN1667830A ,2005-09-14

[9]

非易失存储器件和非易失存储器阵列 [P].

李明宰 ;

柳寅儆 ;

李殷洪 ;

金钟完 ;

金东彻 ;

安承彦 .

中国专利 :CN101030622B ,2007-09-05

[10]

非易失存储器件 [P].

田中利广 ;

梅本由纪子 ;

平木充 ;

品川裕 ;

藤户正道 ;

铃川一文 ;

古川博之 ;

山木贵志 ;

神垣良昭 ;

南真一 ;

片山弘造 ;

松崎望 .

中国专利 :CN101373635A ,2009-02-25

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