基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310311045.6

申请日：

2013-07-23

公开(公告)号：

CN103367638A

公开(公告)日：

2013-10-23

发明(设计)人：

温殿忠李蕾

申请人：

申请人地址：

150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

H01L2724 B82Y1000

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

张利明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101542123639 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2013103110456 申请日:20130723
2013-10-23	公开	公开
2015-10-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722812798 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2013103110456 申请公布日:20131023

共 50 条

[1]

CMOS非易失存储器单元电路 [P].

王开友 ;

吴南健 ;

冯鹏 ;

李贵柯 ;

邓元明 ;

伯林 .

中国专利 :CN206194376U ,2017-05-24

[2]

CMOS非易失存储器单元电路 [P].

王开友 ;

吴南健 ;

冯鹏 ;

李贵柯 ;

邓元明 ;

伯林 .

中国专利 :CN106571162A ,2017-04-19

[3]

非易失存储器件和非易失存储器阵列 [P].

李明宰 ;

柳寅儆 ;

李殷洪 ;

金钟完 ;

金东彻 ;

安承彦 .

中国专利 :CN101030622B ,2007-09-05

[4]

纳米结构开关忆阻器及其制造方法 [P].

温殿忠 ;

柏晓辉 .

中国专利 :CN101593810B ,2009-12-02

[5]

非易失存储器 [P].

D·K·刘 ;

王鼎华 .

中国专利 :CN1345466A ,2002-04-17

[6]

非易失存储器和非易失存储器制造方法 [P].

儿玉典昭 ;

田康秀 ;

金森宏治 ;

藤枝信次 ;

铃木润一 ;

户田昭夫 ;

西坂祯一郎 .

中国专利 :CN1667830A ,2005-09-14

[7]

非易失性静态存储器单元 [P].

R·库彭斯 ;

A·M·H·迪特维格 .

中国专利 :CN1809894B ,2006-07-26

[8]

非易失多值忆阻器 [P].

陈子龙 ;

程传同 ;

李刘杰 ;

黄北举 ;

毛旭瑞 .

中国专利 :CN211743191U ,2020-10-23

[9]

非易失多值忆阻器 [P].

陈子龙 ;

程传同 ;

李刘杰 ;

黄北举 ;

毛旭瑞 .

中国专利 :CN111477741A ,2020-07-31

[10]

非易失存储器单元及其制备方法 [P].

徐泽东 ;

陈朗 .

中国专利 :CN107910331B ,2018-04-13

← 1 2 3 4 5 →