纳米结构开关忆阻器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910072447.9

申请日：

2009-07-02

公开(公告)号：

CN101593810B

公开(公告)日：

2009-12-02

发明(设计)人：

温殿忠柏晓辉

申请人：

申请人地址：

150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

H01L2724 G11C1156

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

张宏威

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-04-06	授权	授权
2014-08-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584506178 IPC(主分类):H01L 45/00 专利号:ZL2009100724479 申请日:20090702 授权公告日:20110406 终止日期:20130702
2009-12-02	公开	公开
2010-01-27	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路 [P].

温殿忠 ;

李蕾 .

中国专利 :CN103367638A ,2013-10-23

[2]

光子忆阻器及其制造方法 [P].

张启明 ;

顾敏 ;

陈希 ;

栾海涛 .

中国专利 :CN111367132A ,2020-07-03

[3]

忆阻器及制造方法 [P].

马修·皮克特 ;

贾尼斯·尼克尔 .

中国专利 :CN103959459A ,2014-07-30

[4]

忆阻器装置以及制造忆阻器装置的方法 [P].

M·巴斯卡兰 ;

S·斯里拉姆 ;

S·瓦利亚 ;

H·N·艾哈迈达巴迪 .

中国专利 :CN108475727A ,2018-08-31

[5]

光子忆阻器及其制备方法 [P].

张启明 ;

栾海涛 ;

顾敏 .

中国专利 :CN115458681B ,2025-07-22

[6]

光子忆阻器及其制备方法 [P].

张启明 ;

栾海涛 ;

顾敏 .

中国专利 :CN115458681A ,2022-12-09

[7]

蛋白质结构快速开关忆阻器阵列的制作方法 [P].

温殿忠 .

中国专利 :CN101630662A ,2010-01-20

[8]

忆阻器及其制备方法 [P].

冯雪 ;

孟艳芳 ;

马寅佶 .

中国专利 :CN113555502A ,2021-10-26

[9]

忆阻器及其制备方法 [P].

罗先刚 ;

周云霞 ;

李雄 .

中国专利 :CN120693056A ,2025-09-23

[10]

忆阻器及其制备方法 [P].

宫勇吉 ;

韦钧天 ;

何倩倩 ;

王蕾 .

中国专利 :CN117396062A ,2024-01-12

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