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光子忆阻器及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202211139617.2
申请日
:
2022-09-19
公开(公告)号
:
CN115458681B
公开(公告)日
:
2025-07-22
发明(设计)人
:
张启明
栾海涛
顾敏
申请人
:
张启明
栾海涛
顾敏
申请人地址
:
200082 上海市杨浦区翔殷路999号21幢3层309室
IPC主分类号
:
H10N70/20
IPC分类号
:
H10N70/00
G02B5/28
代理机构
:
北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015
代理人
:
程超
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-07-22
授权
授权
共 50 条
[1]
光子忆阻器及其制备方法
[P].
张启明
论文数:
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张启明
;
栾海涛
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栾海涛
;
顾敏
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顾敏
.
中国专利
:CN115458681A
,2022-12-09
[2]
光子忆阻器及其制造方法
[P].
张启明
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张启明
;
顾敏
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顾敏
;
陈希
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陈希
;
栾海涛
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栾海涛
.
中国专利
:CN111367132A
,2020-07-03
[3]
一种忆阻器及其制备方法和应用
[P].
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机构:
潘金艳
;
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机构:
李静
;
黄巧
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机构:
集美大学
集美大学
黄巧
;
高云龙
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机构:
集美大学
集美大学
高云龙
;
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机构:
李铁军
;
谢伦博
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机构:
集美大学
集美大学
谢伦博
;
王祯平
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集美大学
集美大学
王祯平
;
钟莹莹
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机构:
集美大学
集美大学
钟莹莹
.
中国专利
:CN117545282A
,2024-02-09
[4]
一种全碳忆阻器及其制备方法
[P].
诸葛飞
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诸葛飞
;
竺臻楠
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竺臻楠
;
俞家欢
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俞家欢
;
曹鸿涛
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曹鸿涛
.
中国专利
:CN108682738B
,2018-10-19
[5]
忆阻器及其制备方法
[P].
冯雪
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冯雪
;
孟艳芳
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孟艳芳
;
马寅佶
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马寅佶
.
中国专利
:CN113555502A
,2021-10-26
[6]
忆阻器及其制备方法
[P].
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机构:
罗先刚
;
周云霞
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机构:
中国科学院光电技术研究所
中国科学院光电技术研究所
周云霞
;
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机构:
李雄
.
中国专利
:CN120693056A
,2025-09-23
[7]
忆阻器及其制备方法
[P].
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机构:
宫勇吉
;
韦钧天
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机构:
北京航空航天大学
北京航空航天大学
韦钧天
;
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机构:
何倩倩
;
论文数:
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机构:
王蕾
.
中国专利
:CN117396062A
,2024-01-12
[8]
忆阻器及其制备方法
[P].
吴华强
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吴华强
;
钱鹤
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钱鹤
;
李辛毅
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李辛毅
.
中国专利
:CN114256289A
,2022-03-29
[9]
忆阻器及其制备方法
[P].
何南
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何南
;
堵大为
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堵大为
;
童祎
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童祎
.
中国专利
:CN111900249A
,2020-11-06
[10]
忆阻器及其制备方法、应用
[P].
张兆华
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张兆华
;
庄腾飞
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庄腾飞
;
林鼎
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林鼎
.
中国专利
:CN114497367A
,2022-05-13
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