一种全碳忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810339076.5

申请日：

2018-04-16

公开(公告)号：

CN108682738B

公开(公告)日：

2018-10-19

发明(设计)人：

诸葛飞竺臻楠俞家欢曹鸿涛

申请人：

申请人地址：

315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

刘诚午

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	授权	授权
2018-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20180416
2018-10-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种忆阻器及其制备方法和应用 [P].

潘金艳 ;

李静 ;

黄巧 ;

高云龙 ;

李铁军 ;

谢伦博 ;

王祯平 ;

钟莹莹 .

中国专利 :CN117545282A ,2024-02-09

[2]

石墨烯基全碳忆阻器及其制备方法 [P].

马雷 ;

李睿 ;

田昊 ;

秦佳豪 .

中国专利 :CN118201475B ,2024-08-30

[3]

石墨烯基全碳忆阻器及其制备方法 [P].

马雷 ;

李睿 ;

田昊 ;

秦佳豪 .

中国专利 :CN118201475A ,2024-06-14

[4]

光子忆阻器及其制备方法 [P].

张启明 ;

栾海涛 ;

顾敏 .

中国专利 :CN115458681B ,2025-07-22

[5]

光子忆阻器及其制备方法 [P].

张启明 ;

栾海涛 ;

顾敏 .

中国专利 :CN115458681A ,2022-12-09

[6]

一种模拟型全碳基忆阻突触器件及其制备方法 [P].

刘益春 ;

陈颖 ;

张雪 ;

林亚 ;

王中强 ;

曾涛 ;

徐海阳 .

中国专利 :CN112563414B ,2021-03-26

[7]

一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法 [P].

王敬蕊 ;

诸葛飞 ;

郑秀 ;

曹鸿涛 .

中国专利 :CN107946459A ,2018-04-20

[8]

忆阻器及其制备方法 [P].

罗先刚 ;

周云霞 ;

李雄 .

中国专利 :CN120693056A ,2025-09-23

[9]

忆阻器及其制备方法 [P].

何南 ;

堵大为 ;

童祎 .

中国专利 :CN111900249A ,2020-11-06

[10]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

俞景豪 ;

刘晓艳 ;

华传洋 ;

王正 ;

叶鹏飞 ;

王磊 ;

童祎 .

中国专利 :CN113725357A ,2021-11-30

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