石墨烯基全碳忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410620512.1

申请日：

2024-05-20

公开(公告)号：

CN118201475B

公开(公告)日：

2024-08-30

发明(设计)人：

马雷李睿田昊秦佳豪

申请人：

天津大学

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

H10N70/20

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李鹏宇

法律状态：

授权

国省代码：

天津市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-30	授权	授权
2024-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20240520
2024-06-14	公开	公开

共 50 条

[1]

石墨烯基全碳忆阻器及其制备方法 [P].

马雷 ;

李睿 ;

田昊 ;

秦佳豪 .

中国专利 :CN118201475A ,2024-06-14

[2]

一种全碳忆阻器及其制备方法 [P].

诸葛飞 ;

竺臻楠 ;

俞家欢 ;

曹鸿涛 .

中国专利 :CN108682738B ,2018-10-19

[3]

一种全碳石墨烯器件及其制备方法 [P].

马雷 ;

李睿 ;

田昊 ;

于凯丞 ;

郝路珍 .

中国专利 :CN116544279B ,2024-06-04

[4]

石墨烯基全碳逻辑电路及其制备方法 [P].

马雷 ;

李睿 ;

赵健 ;

边博岳 ;

李雅奇 ;

田昊 ;

覃振杰 .

中国专利 :CN118198064B ,2024-09-17

[5]

石墨烯基全碳逻辑电路及其制备方法 [P].

马雷 ;

李睿 ;

赵健 ;

边博岳 ;

李雅奇 ;

田昊 ;

覃振杰 .

中国专利 :CN118198064A ,2024-06-14

[6]

一种锂离子掺杂石墨烯忆阻器及其制备方法 [P].

林时胜 ;

郑柘炀 ;

李晓强 .

中国专利 :CN104916777A ,2015-09-16

[7]

忆阻器、制备方法及全忆阻器基的神经形态计算芯片 [P].

许晓欣 ;

余杰 ;

董大年 ;

李晓燕 ;

郑旭 ;

吕杭炳 ;

刘明 .

中国专利 :CN113517391A ,2021-10-19

[8]

一种氧化石墨烯神经形态忆阻器及其制备方法 [P].

赵玮 ;

张君 ;

赵春宝 ;

秋珊珊 ;

李秀霞 ;

候平平 ;

赵东东 .

中国专利 :CN115623861A ,2023-01-17

[9]

一种银纳米线复合石墨烯忆阻器及其制备方法 [P].

刘儒平 ;

石月 ;

李烨 ;

李路海 ;

王慰 ;

李仲晓 .

中国专利 :CN109273598A ,2019-01-25

[10]

光子忆阻器及其制备方法 [P].

张启明 ;

栾海涛 ;

顾敏 .

中国专利 :CN115458681B ,2025-07-22

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