一种模拟型全碳基忆阻突触器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911420433.1

申请日：

2019-12-31

公开(公告)号：

CN112563414B

公开(公告)日：

2021-03-26

发明(设计)人：

刘益春陈颖张雪林亚王中强曾涛徐海阳

申请人：

申请人地址：

130000 吉林省长春市人民大街5268号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

G06N3063

代理机构：

上海段和段律师事务所 31334

代理人：

李佳俊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-26	公开	公开
2021-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20191231
2022-11-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种全碳基神经突触仿生器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN105287046A ,2016-02-03

[2]

一种全碳忆阻器及其制备方法 [P].

诸葛飞 ;

竺臻楠 ;

俞家欢 ;

曹鸿涛 .

中国专利 :CN108682738B ,2018-10-19

[3]

石墨烯基全碳忆阻器及其制备方法 [P].

马雷 ;

李睿 ;

田昊 ;

秦佳豪 .

中国专利 :CN118201475B ,2024-08-30

[4]

石墨烯基全碳忆阻器及其制备方法 [P].

马雷 ;

李睿 ;

田昊 ;

秦佳豪 .

中国专利 :CN118201475A ,2024-06-14

[5]

忆阻器件及其制备方法 [P].

刘力锋 ;

后羿 ;

李悦 ;

于迪 ;

陈冰 ;

高滨 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN103022350A ,2013-04-03

[6]

一种碳基场效应力敏突触器件及其制备方法 [P].

魏大鹏 ;

梁宇晖 ;

唐甜 .

中国专利 :CN119277877A ,2025-01-07

[7]

基于a-SiOx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 [P].

李伟 ;

宋宇浩 ;

次会聚 ;

董湘 ;

袁余涵 ;

李东阳 ;

蒋向东 .

中国专利 :CN109037442B ,2018-12-18

[8]

一种碳基场效应力敏突触器件及其制备方法 [P].

魏大鹏 ;

梁宇晖 ;

唐甜 .

中国专利 :CN119277877B ,2025-10-03

[9]

基于a-SiOxNy忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 [P].

李伟 ;

宋宇浩 ;

次会聚 ;

董湘 ;

袁余涵 ;

李东阳 ;

蒋向东 .

中国专利 :CN109065714B ,2018-12-21

[10]

基于a-SiNx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 [P].

李东阳 ;

次会聚 ;

宋宇浩 ;

陈奕丞 ;

袁余涵 ;

李伟 ;

蒋向东 .

中国专利 :CN109037443A ,2018-12-18

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