一种碳基场效应力敏突触器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411379886.5

申请日：

2024-09-30

公开(公告)号：

CN119277877B

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

魏大鹏梁宇晖唐甜

申请人：

中国科学院重庆绿色智能技术研究院

申请人地址：

400714 重庆市北碚区水土高新园方正大道266号

IPC主分类号：

H10K10/46

IPC分类号：

H10K71/00 G06N3/063

代理机构：

重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211

代理人：

肖秉城;郭云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10K 10/46申请日:20240930
2025-10-03	授权	授权
2025-01-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种碳基场效应力敏突触器件及其制备方法 [P].

魏大鹏 ;

梁宇晖 ;

唐甜 .

中国专利 :CN119277877A ,2025-01-07

[2]

一种模拟型全碳基忆阻突触器件及其制备方法 [P].

刘益春 ;

陈颖 ;

张雪 ;

林亚 ;

王中强 ;

曾涛 ;

徐海阳 .

中国专利 :CN112563414B ,2021-03-26

[3]

一种全碳基神经突触仿生器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN105287046A ,2016-02-03

[4]

场效应管及其制备方法 [P].

郑小平 ;

叶振强 ;

孙振源 ;

欧湛 ;

李志杰 ;

刘佳明 ;

李佳 .

中国专利 :CN109860287B ,2019-06-07

[5]

一种基于双层电介质的碳基三端仿生突触器件及其制备方法 [P].

张国和 ;

宫晨蓉 ;

刘佳 ;

万贤杰 ;

俞宙 ;

邢乾 .

中国专利 :CN115642174A ,2023-01-24

[6]

一种碳基多端仿生突触器件及其制备方法 [P].

张国和 ;

宫晨蓉 ;

刘佳 ;

俞宙 ;

陈琳 .

中国专利 :CN114220861A ,2022-03-22

[7]

一种柔性人工突触器件及其制备方法 [P].

唐振华 ;

张莉 ;

胡松程 ;

姚帝杰 ;

刘志钢 .

中国专利 :CN113161481A ,2021-07-23

[8]

一种HfO2基铁电隧道结神经突触器件及其制备方法 [P].

朱颢 ;

曹园园 ;

刘逸伦 ;

陈琳 ;

孙清清 .

中国专利 :CN113346018A ,2021-09-03

[9]

一种光控人工突触器件及其制备方法 [P].

刘益春 ;

王中强 ;

单旋宇 ;

付申成 ;

张昕彤 ;

徐海阳 .

中国专利 :CN115132919A ,2022-09-30

[10]

一种光控人工突触器件及其制备方法 [P].

刘益春 ;

王中强 ;

单旋宇 ;

付申成 ;

张昕彤 ;

徐海阳 .

中国专利 :CN115132919B ,2025-04-29

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