反射式等离子体电光开关

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201020003721.5

申请日：

2010-01-05

公开(公告)号：

CN201707514U

公开(公告)日：

2011-01-12

发明(设计)人：

张君张雄军吴登生田晓琳

申请人：

申请人地址：

621900 四川省绵阳市919信箱988分箱

IPC主分类号：

G02F103

IPC分类号：

代理机构：

中国工程物理研究院专利中心 51210

代理人：

翟长明;韩志英

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-12	授权	授权
2011-09-28	避免重复授权放弃专利权	避免重复授权放弃专利权号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101190098814 IPC(主分类):G02F 1/03 专利号:ZL2010200037215 申请日:20100105 授权公告日:20110112 放弃生效日:20100105

共 50 条

[1]

反射式等离子体电光开关 [P].

张君 ;

张雄军 ;

吴登生 ;

田晓琳 .

中国专利 :CN101819336B ,2010-09-01

[2]

反射式透明导电膜电光开关 [P].

孟繁霖 ;

刘德安 ;

张潇 ;

缪洁 ;

朱健强 .

中国专利 :CN103197442A ,2013-07-10

[3]

等离子体处理设备 [P].

欧阳亮 .

中国专利 :CN216145635U ,2022-03-29

[4]

反射式双反应室等离子体锑白炉 [P].

叶建华 ;

戴新 ;

庞周 ;

蒋树深 .

中国专利 :CN1026916C ,1993-11-10

[5]

等离子体微带开关 [P].

欧阳吉庭 ;

缪劲松 ;

彭祖林 ;

曹菁 ;

蔡崧 .

中国专利 :CN101707270A ,2010-05-12

[6]

等离子体梳 [P].

黄上快 ;

李亚楠 ;

廖理 ;

雷晓兵 ;

丁毅 .

中国专利 :CN217745366U ,2022-11-08

[7]

等离子体梳 [P].

黄上快 ;

李亚楠 ;

廖理 ;

雷晓兵 ;

丁毅 .

中国专利 :CN218220822U ,2023-01-06

[8]

等离子体喷射装置及低温等离子体设备 [P].

赵武 ;

陈军 ;

郭鑫 ;

张梁坤 .

中国专利 :CN209472820U ,2019-10-08

[9]

一种反射式等离子体纳米结构光开关及其制备方法 [P].

何金娜 ;

万明理 ;

孙小军 ;

张晓朋 ;

李勇 ;

周丰群 .

中国专利 :CN106773146B ,2017-05-31

[10]

推拉式等离子体 [P].

赵同强 ;

王升 ;

李宗显 .

中国专利 :CN208194061U ,2018-12-07

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