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一种射频芯片扇出型系统级封装工艺

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811176817.9
申请日：
2018-10-10
公开(公告)号：
CN110010543A
公开(公告)日：
2019-07-12
发明(设计)人：
冯光建 丁祥祥 陈雪平 马飞 程明芳 郭丽丽 郑赞赞 郁发新
申请人：
申请人地址：
313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
代理机构：
杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283
代理人：
董世博
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-07-12 公开 公开
2021-04-09 授权 授权
2019-08-06 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20181010
共 50 条
[1]
一种侧面散热型射频芯片系统级封装工艺 [P]. 
冯光建 ;
郑赞赞 ;
陈雪平 ;
刘长春 ;
丁祥祥 ;
王永河 ;
马飞 ;
郁发新 .
中国专利 :CN110010497A ,2019-07-12
[2]
一种射频芯片的系统级封装工艺 [P]. 
冯光建 ;
陈雪平 ;
刘长春 ;
丁祥祥 ;
王永河 ;
马飞 ;
程明芳 ;
郁发新 .
中国专利 :CN110010502B ,2019-07-12
[3]
一种高度集成的射频芯片系统级封装工艺 [P]. 
冯光建 ;
陈雪平 ;
刘长春 ;
郑赞赞 ;
王永河 ;
马飞 ;
程明芳 ;
郁发新 .
中国专利 :CN110010500B ,2019-07-12
[4]
一种立式焊接的射频芯片系统级封装工艺 [P]. 
冯光建 ;
郑赞赞 ;
马飞 ;
程明芳 ;
郭丽丽 ;
刘长春 ;
丁祥祥 ;
郁发新 .
中国专利 :CN110010487A ,2019-07-12
[5]
一种具有电磁屏蔽功能的射频芯片系统级封装工艺 [P]. 
冯光建 ;
丁祥祥 ;
刘长春 ;
马飞 ;
程明芳 ;
郭丽丽 ;
郑赞赞 ;
郁发新 .
中国专利 :CN110010499B ,2019-07-12
[6]
一种插孔式超深TSV互联的射频芯片系统级封装工艺 [P]. 
冯光建 ;
丁祥祥 ;
陈雪平 ;
马飞 ;
程明芳 ;
郭丽丽 ;
郑赞赞 ;
郁发新 .
中国专利 :CN110010484B ,2019-07-12
[7]
一种密闭结构的系统级射频芯片封装工艺 [P]. 
冯光建 ;
王永河 ;
马飞 ;
程明芳 ;
郭丽丽 ;
郑赞赞 ;
陈雪平 ;
郁发新 .
中国专利 :CN110010486B ,2019-07-12
[8]
一种扇出型方片级半导体芯片封装工艺 [P]. 
陈峰 .
中国专利 :CN104103528A ,2014-10-15
[9]
集成超薄大电感的扇出型系统级封装工艺及结构 [P]. 
徐健 ;
田陌晨 ;
温德鑫 ;
祝俊东 ;
王德军 .
中国专利 :CN115084115A ,2022-09-20
[10]
扇出型封装工艺和扇出型封装结构 [P]. 
何正鸿 ;
徐玉鹏 .
中国专利 :CN111933532B ,2020-11-13
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