制造多个发射辐射的半导体器件的方法和发射辐射的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880023706.6

申请日：

2018-03-21

公开(公告)号：

CN110494996A

公开(公告)日：

2019-11-22

发明(设计)人：

伊瓦尔·通林托马斯·施勒雷特

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3354

IPC分类号：

H01L3360 H01L3348

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张春水;丁永凡

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-22	公开	公开
2019-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/54 申请日:20180321

共 50 条

[1]

制造多个发射辐射的半导体器件的方法和发射辐射的半导体器件 [P].

伊瓦尔·通林 ;

托马斯·施勒雷特 .

中国专利 :CN110494991A ,2019-11-22

[2]

发射辐射的半导体器件和用于制造发射辐射的半导体器件的方法 [P].

托马斯·施瓦茨 .

德国专利 :CN119769205A ,2025-04-04

[3]

发射辐射的半导体芯片和发射辐射的半导体器件 [P].

坦森·瓦尔盖斯 ;

布鲁诺·延奇 .

中国专利 :CN113646892A ,2021-11-12

[4]

发射辐射的半导体芯片和发射辐射的半导体器件 [P].

坦森·瓦尔盖斯 ;

布鲁诺·延奇 .

德国专利 :CN113646892B ,2024-12-24

[5]

发射辐射的半导体器件 [P].

M.维特曼恩 .

中国专利 :CN102947957A ,2013-02-27

[6]

发射辐射的半导体本体、用于制造发射辐射的半导体本体的方法和发射辐射的半导体器件 [P].

赫贝特·布伦纳 ;

帕特里克·宁斯 .

中国专利 :CN102934244B ,2013-02-13

[7]

发射辐射的半导体器件 [P].

诺温·文马尔姆 ;

拉尔夫·维尔特 .

中国专利 :CN102473717A ,2012-05-23

[8]

发射辐射的半导体器件 [P].

彼得鲁斯·松德格伦 .

中国专利 :CN111630670A ,2020-09-04

[9]

发射辐射的半导体器件 [P].

彼得鲁斯·松德格伦 .

德国专利 :CN111630670B ,2024-06-28

[10]

发射辐射的半导体器件 [P].

K.贝格内克 ;

M.阿尔斯泰特 ;

U.利波尔德 .

中国专利 :CN102656713A ,2012-09-05

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