发射辐射的半导体器件和用于制造发射辐射的半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380061599.7

申请日：

2023-08-22

公开(公告)号：

CN119769205A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

托马斯·施瓦茨

申请人：

艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司

申请人地址：

德国

IPC主分类号：

H10H20/85

IPC分类号：

H10H20/853 H10H20/01 H10H20/851 H10H20/854 H10H20/856

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

周涛;刘刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	公开	公开
2025-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/85申请日:20230822

共 50 条

[1]

制造多个发射辐射的半导体器件的方法和发射辐射的半导体器件 [P].

伊瓦尔·通林 ;

托马斯·施勒雷特 .

中国专利 :CN110494991A ,2019-11-22

[2]

制造多个发射辐射的半导体器件的方法和发射辐射的半导体器件 [P].

伊瓦尔·通林 ;

托马斯·施勒雷特 .

中国专利 :CN110494996A ,2019-11-22

[3]

发射辐射的半导体芯片和发射辐射的半导体器件 [P].

坦森·瓦尔盖斯 ;

布鲁诺·延奇 .

中国专利 :CN113646892A ,2021-11-12

[4]

发射辐射的半导体芯片和发射辐射的半导体器件 [P].

坦森·瓦尔盖斯 ;

布鲁诺·延奇 .

德国专利 :CN113646892B ,2024-12-24

[5]

发射辐射的半导体本体、用于制造发射辐射的半导体本体的方法和发射辐射的半导体器件 [P].

赫贝特·布伦纳 ;

帕特里克·宁斯 .

中国专利 :CN102934244B ,2013-02-13

[6]

发射辐射的半导体器件 [P].

M.维特曼恩 .

中国专利 :CN102947957A ,2013-02-27

[7]

用于发射辐射的半导体器件的生长结构和发射辐射的半导体器件 [P].

安德里亚斯·科勒 ;

贝恩德·迈尔 .

德国专利 :CN113490996B ,2024-06-25

[8]

用于发射辐射的半导体器件的生长结构和发射辐射的半导体器件 [P].

安德里亚斯·科勒 ;

贝恩德·迈尔 .

中国专利 :CN113490996A ,2021-10-08

[9]

用于制造发射辐射的半导体芯片的方法、发射辐射的半导体芯片和发射辐射的器件 [P].

亚历山大·F·普福伊费尔 ;

托比亚斯·迈耶 ;

科比尼安·佩尔茨尔迈尔 ;

托马斯·施瓦茨 ;

塞巴斯蒂安·霍伊布尔 .

中国专利 :CN114365296A ,2022-04-15

[10]

用于制造发射辐射的半导体芯片的方法、发射辐射的半导体芯片和发射辐射的器件 [P].

亚历山大·F·普福伊费尔 ;

托比亚斯·迈耶 ;

科比尼安·佩尔茨尔迈尔 ;

托马斯·施瓦茨 ;

塞巴斯蒂安·霍伊布尔 .

德国专利 :CN114365296B ,2025-08-15

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