一种制备PZT压电陶瓷薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010563487.6

申请日：

2010-11-29

公开(公告)号：

CN102060531A

公开(公告)日：

2011-05-18

发明(设计)人：

朱孔军裘进浩孟庆华董娜娜季宏丽

申请人：

申请人地址：

210016 江苏省南京市御道街29号

IPC主分类号：

C04B35491

IPC分类号：

C04B35624

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人：

叶连生

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101692298258 IPC(主分类):H01L 41/187 专利申请号:2010105634876 申请公布日:20110518
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101088114058 IPC(主分类):C04B 35/491 专利申请号:2010105634876 申请日:20101129
2011-05-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种PZT压电薄膜及其制备方法 [P].

纪健超 ;

杜彬 .

中国专利 :CN120329037A ,2025-07-18

[2]

一种PZT压电陶瓷的制备方法 [P].

黄秋兰 .

中国专利 :CN107720819A ,2018-02-23

[3]

一种制备压电陶瓷薄膜的方法 [P].

野村幸治 ;

吴华 ;

中野阳介 ;

吕艳飞 ;

李广志 .

中国专利 :CN113122801A ,2021-07-16

[4]

一种纳米－微米双尺度晶粒复合PZT压电陶瓷的制备方法 [P].

曹茂盛 ;

林海波 ;

金海波 .

中国专利 :CN101172857A ,2008-05-07

[5]

一种PZT压电陶瓷材料的制备工艺 [P].

李益民 ;

何哲宇 ;

谢其煜 ;

廖秋平 ;

穆连彬 ;

李云 .

中国专利 :CN114736017A ,2022-07-12

[6]

一种PZT压电陶瓷超细粉体的制备方法 [P].

黄秋兰 .

中国专利 :CN107793151A ,2018-03-13

[7]

一种低温快速烧结制备PZT压电陶瓷的方法及压电陶瓷 [P].

苏兴华 ;

白鸽 ;

贾勇杰 ;

张静 ;

穆豪 ;

韩晨曦 ;

吴亚娟 .

中国专利 :CN108383522A ,2018-08-10

[8]

一种纳米粉体直接添加的改性PZT压电陶瓷及其制备方法 [P].

陶锋烨 ;

王振 ;

洪樟连 ;

李广慧 ;

郭煌 ;

胥金华 ;

姚志军 ;

张火荣 ;

王民权 .

中国专利 :CN100556852C ,2007-05-09

[9]

一种低温烧结PZT压电陶瓷的方法及压电陶瓷 [P].

孙小曼 ;

李蔚 ;

郑文毅 .

中国专利 :CN109265167B ,2019-01-25

[10]

PZT基压电陶瓷的制备方法 [P].

刘洁 ;

王竹 .

中国专利 :CN106187182A ,2016-12-07

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