一种PZT压电薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510541846.4

申请日：

2025-04-28

公开(公告)号：

CN120329037A

公开(公告)日：

2025-07-18

发明(设计)人：

纪健超杜彬

申请人：

西安航科创星电子科技有限公司

申请人地址：

710000 陕西省西安市高新区洨河北路电子谷核心区10号楼1层101-001

IPC主分类号：

C04B35/499

IPC分类号：

H10N30/097 H10N30/853 C04B35/624 C04B35/622 C04B35/64

代理机构：

北京专赢专利代理有限公司 11797

代理人：

王继胜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/499申请日:20250428
2025-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备PZT压电陶瓷薄膜的方法 [P].

朱孔军 ;

裘进浩 ;

孟庆华 ;

董娜娜 ;

季宏丽 .

中国专利 :CN102060531A ,2011-05-18

[2]

一种PZT压电纤维及其制备方法 [P].

刘军 ;

孟献丰 ;

陈彩凤 ;

邱艳芹 ;

骆英 .

中国专利 :CN101358388A ,2009-02-04

[3]

一种(100)择优取向的PMN-PZT/PZT异质结构薄膜的制备方法 [P].

邹赫麟 ;

王兴 .

中国专利 :CN111081864A ,2020-04-28

[4]

一种高取向度PZT压电薄膜的制备方法 [P].

冯士维 ;

钟素娟 .

中国专利 :CN101864568A ,2010-10-20

[5]

一种PZT压电陶瓷超细粉体的制备方法 [P].

黄秋兰 .

中国专利 :CN107793151A ,2018-03-13

[6]

一种PZT压电陶瓷的制备方法 [P].

黄秋兰 .

中国专利 :CN107720819A ,2018-02-23

[7]

一种PZT基压电陶瓷及其制备方法 [P].

李益民 ;

王霄 .

中国专利 :CN112645709A ,2021-04-13

[8]

PSN-PZT压电陶瓷片及其制备方法 [P].

张珍宣 ;

刘长流 ;

戴昭波 ;

张玉芬 ;

陈键 ;

高智红 .

中国专利 :CN108249919A ,2018-07-06

[9]

柔性压电薄膜及其制备方法 [P].

黄仕华 ;

邱䶮 ;

柯超群 .

中国专利 :CN118061570A ,2024-05-24

[10]

一种PZT压电陶瓷材料的制备工艺 [P].

李益民 ;

何哲宇 ;

谢其煜 ;

廖秋平 ;

穆连彬 ;

李云 .

中国专利 :CN114736017A ,2022-07-12

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