一种PZT基压电陶瓷及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011558278.2

申请日：

2020-12-25

公开(公告)号：

CN112645709A

公开(公告)日：

2021-04-13

发明(设计)人：

李益民王霄

申请人：

申请人地址：

410205 湖南省长沙市长沙高新开发区文轩路27号麓谷钰园A4栋六层604号

IPC主分类号：

C04B35491

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114

代理人：

钟丹;魏娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/491 申请日:20201225
2021-04-13	公开	公开

共 50 条

[1]

PZT基压电陶瓷的制备方法 [P].

刘洁 ;

王竹 .

中国专利 :CN106187182A ,2016-12-07

[2]

PZT基压电陶瓷及其制备方法和压电器件 [P].

孙铭泽 ;

曹文武 .

中国专利 :CN119430925A ,2025-02-14

[3]

一种PZT基复合压电陶瓷制备方法及PZT基复合压电陶瓷 [P].

宋波 ;

袁征 ;

李艳杰 .

中国专利 :CN106495693A ,2017-03-15

[4]

一种PZT基高居里温度压电陶瓷及制备方法 [P].

盖学周 ;

李伟 ;

吴凡 .

中国专利 :CN111875378A ,2020-11-03

[5]

一种La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

严继康 ;

甘有为 ;

姜贵民 ;

刘明 ;

甘国友 ;

谈松林 ;

张家敏 ;

杜景红 ;

易建宏 .

中国专利 :CN107540373A ,2018-01-05

[6]

一种Sm离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

沈培锋 ;

王妍 ;

陈挺 ;

钱森 ;

陈川 ;

李勇 ;

张泽 ;

汤德宝 ;

何天雨 ;

鞠玲 ;

姚建光 ;

翁蓓蓓 ;

程阳 ;

陆子渊 ;

李双伟 ;

贾骏 ;

吴艳 ;

袁乐 .

中国专利 :CN116655377B ,2024-12-06

[7]

钙锂镱共掺杂的PZT基压电陶瓷及其制备方法 [P].

刘洪 ;

张倩 ;

朱建国 ;

余萍 ;

徐威 ;

陈强 ;

肖定全 .

中国专利 :CN106064945A ,2016-11-02

[8]

一种PMN-PZT基铅基压电陶瓷及其制备方法和应用 [P].

郇宇 ;

韩同鑫 .

中国专利 :CN118084487A ,2024-05-28

[9]

一种氧化镱掺杂低温制备PZT基压电陶瓷 [P].

刘洪 ;

张倩 ;

朱建国 ;

余萍 ;

宋慧瑾 .

中国专利 :CN106673648A ,2017-05-17

[10]

一种低温烧结PZT基压电陶瓷材料及其制备方法和应用 [P].

黄端平 ;

毛万紫 ;

徐庆 ;

张枫 .

中国专利 :CN118724588A ,2024-10-01

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