一种PMN-PZT基铅基压电陶瓷及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410214659.0

申请日：

2024-02-27

公开(公告)号：

CN118084487A

公开(公告)日：

2024-05-28

发明(设计)人：

郇宇韩同鑫

申请人：

苏州思若梅克电子科技有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市昆山开发区春旭路168号帝宝金融大厦第19层1905室

IPC主分类号：

C04B35/491

IPC分类号：

C04B35/622 B06B1/06

代理机构：

山东知圣律师事务所 37262

代理人：

纪艳艳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/491申请日:20240227
2024-05-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种PMN-PZT压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

方豪杰 ;

贺亦文 ;

张晓云 ;

张国秀 ;

方美玲 ;

刘建平 ;

曾雄 .

中国专利 :CN118851757A ,2024-10-29

[2]

PZT基压电陶瓷及其制备方法和压电器件 [P].

孙铭泽 ;

曹文武 .

中国专利 :CN119430925A ,2025-02-14

[3]

铅基压电陶瓷及其制备方法 [P].

陆俊宇 ;

曹文武 .

中国专利 :CN117510198A ,2024-02-06

[4]

一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其制备方法 [P].

阮伟 ;

曾江涛 ;

李国荣 ;

郑嘹赢 ;

曾华荣 ;

丁爱丽 .

中国专利 :CN102295456B ,2011-12-28

[5]

PZT基压电陶瓷的制备方法 [P].

刘洁 ;

王竹 .

中国专利 :CN106187182A ,2016-12-07

[6]

一种PZT基压电陶瓷及其制备方法 [P].

李益民 ;

王霄 .

中国专利 :CN112645709A ,2021-04-13

[7]

一种多层铅基压电陶瓷及其制备方法 [P].

郇宇 .

中国专利 :CN115321978A ,2022-11-11

[8]

一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法和应用 [P].

曹俊 ;

蒋健晖 .

中国专利 :CN116477944B ,2024-07-16

[9]

一种PZT基复合压电陶瓷制备方法及PZT基复合压电陶瓷 [P].

宋波 ;

袁征 ;

李艳杰 .

中国专利 :CN106495693A ,2017-03-15

[10]

一种铅基压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

姜旭宇 ;

柯银鸿 ;

余洋 ;

吴发明 ;

翁新全 ;

许静玲 ;

刘瑞林 .

中国专利 :CN119638417A ,2025-03-18

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