一种PMN-PZT压电陶瓷材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411047532.0

申请日：

2024-08-01

公开(公告)号：

CN118851757A

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

方豪杰贺亦文张晓云张国秀方美玲刘建平曾雄

申请人：

湖南省美程陶瓷科技有限公司

申请人地址：

417600 湖南省娄底市新化县经济开发区向红工业园

IPC主分类号：

C04B35/493

IPC分类号：

C04B35/622

代理机构：

长沙大珂知识产权代理事务所(普通合伙) 43236

代理人：

伍志祥

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/493申请日:20240801
2024-10-29	公开	公开
2025-03-21	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):C04B 35/493变更事项:申请人变更前:湖南省美程陶瓷科技有限公司变更后:湖南省美程新材料科技股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:417600 湖南省娄底市新化县经济开发区向红工业园变更后:417600 湖南省娄底市新化县经济开发区向红工业园

共 50 条

[1]

一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其制备方法 [P].

阮伟 ;

曾江涛 ;

李国荣 ;

郑嘹赢 ;

曾华荣 ;

丁爱丽 .

中国专利 :CN102295456B ,2011-12-28

[2]

改性PZT压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

徐锦生 .

中国专利 :CN104129992A ,2014-11-05

[3]

一种细晶高强度PMN-PZT压电陶瓷材料的生产方法 [P].

宁海霞 .

中国专利 :CN103304235A ,2013-09-18

[4]

一种PMN-PZT基铅基压电陶瓷及其制备方法和应用 [P].

郇宇 ;

韩同鑫 .

中国专利 :CN118084487A ,2024-05-28

[5]

压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

董显林 ;

黄祯 ;

王根水 ;

李玉臣 .

中国专利 :CN102731091A ,2012-10-17

[6]

高居里温度的PZT压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

孙兆海 ;

马涛 .

中国专利 :CN104291817A ,2015-01-21

[7]

一种Sm离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

沈培锋 ;

王妍 ;

陈挺 ;

钱森 ;

陈川 ;

李勇 ;

张泽 ;

汤德宝 ;

何天雨 ;

鞠玲 ;

姚建光 ;

翁蓓蓓 ;

程阳 ;

陆子渊 ;

李双伟 ;

贾骏 ;

吴艳 ;

袁乐 .

中国专利 :CN116655377B ,2024-12-06

[8]

一种压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

徐锦生 .

中国专利 :CN101767995A ,2010-07-07

[9]

一种四元压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

方豪杰 ;

贺亦文 ;

张晓云 ;

张国秀 ;

曾雄 .

中国专利 :CN117843363A ,2024-04-09

[10]

一种四元压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

方豪杰 ;

贺亦文 ;

张晓云 ;

张国秀 ;

曾雄 .

中国专利 :CN117843363B ,2024-11-22

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