一种La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201710741647.3
申请日
2017-08-25
公开(公告)号
CN107540373A
公开(公告)日
2018-01-05
发明(设计)人
严继康 甘有为 姜贵民 刘明 甘国友 谈松林 张家敏 杜景红 易建宏
申请人
申请人地址
650093 云南省昆明市五华区学府路253号
IPC主分类号
C04B35493
IPC分类号
C04B35622 C04B4188
代理机构
代理人
法律状态
公开
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共 50 条
[1]
一种Sm离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
沈培锋 ;
王妍 ;
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张泽 ;
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何天雨 ;
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姚建光 ;
翁蓓蓓 ;
程阳 ;
陆子渊 ;
李双伟 ;
贾骏 ;
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[2]
La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷及其制备方法 [P]. 
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[3]
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[4]
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[5]
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[6]
高居里温度的PZT压电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
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[7]
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[8]
PZT基压电陶瓷的制备方法 [P]. 
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[9]
一种PZT基压电陶瓷及其制备方法 [P]. 
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[10]
一种铅基压电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
姜旭宇 ;
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中国专利 :CN119638417A ,2025-03-18