一种低温烧结PZT基压电陶瓷材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410773066.8

申请日：

2024-06-17

公开(公告)号：

CN118724588A

公开(公告)日：

2024-10-01

发明(设计)人：

黄端平毛万紫徐庆张枫

申请人：

武汉理工大学

申请人地址：

430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

IPC主分类号：

C04B35/493

IPC分类号：

H10N30/853

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人：

邹佳佳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/493申请日:20240617
2024-10-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种低温烧结陶瓷材料及其制备方法和应用 [P].

张甦 ;

龚建 ;

李启迪 ;

仇利民 ;

杨涛 .

中国专利 :CN115611628A ,2023-01-17

[2]

一种低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

张望重 ;

梁瑞虹 ;

董显林 .

中国专利 :CN102838350B ,2012-12-26

[3]

一种La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

严继康 ;

甘有为 ;

姜贵民 ;

刘明 ;

甘国友 ;

谈松林 ;

张家敏 ;

杜景红 ;

易建宏 .

中国专利 :CN107540373A ,2018-01-05

[4]

一种Sm离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

沈培锋 ;

王妍 ;

陈挺 ;

钱森 ;

陈川 ;

李勇 ;

张泽 ;

汤德宝 ;

何天雨 ;

鞠玲 ;

姚建光 ;

翁蓓蓓 ;

程阳 ;

陆子渊 ;

李双伟 ;

贾骏 ;

吴艳 ;

袁乐 .

中国专利 :CN116655377B ,2024-12-06

[5]

一种超低温烧结陶瓷材料及其制备方法和应用 [P].

汪宏 ;

曾站 ;

徐信未 ;

王鸿业 .

中国专利 :CN119143512A ,2024-12-17

[6]

改性PZT基高温压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

曹建新 ;

张煜 ;

杨林 ;

李庆利 .

中国专利 :CN101224978A ,2008-07-23

[7]

一种无烧结助剂低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

杨颖 ;

胡悫睿 ;

陈朋 ;

王一平 .

中国专利 :CN110330332B ,2019-10-15

[8]

一种低温烧结且老化率低的PZT压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

孙兆海 ;

马涛 .

中国专利 :CN103204679A ,2013-07-17

[9]

一种低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

范桂芬 ;

曾子庆 ;

王晓川 ;

吕文中 ;

郝孟猛 ;

文玥 .

中国专利 :CN109320244A ,2019-02-12

[10]

一种低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

范桂芬 ;

吕文中 ;

王允祺 ;

王晓川 ;

汪小红 .

中国专利 :CN102850050B ,2013-01-02

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