钙锂镱共掺杂的PZT基压电陶瓷及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610390890.0

申请日：

2016-06-02

公开(公告)号：

CN106064945A

公开(公告)日：

2016-11-02

发明(设计)人：

刘洪张倩朱建国余萍徐威陈强肖定全

申请人：

申请人地址：

610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

IPC主分类号：

C04B35493

IPC分类号：

C04B35622 C04B4188

代理机构：

成都科海专利事务有限责任公司 51202

代理人：

吕建平;周敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-02	公开	公开
2016-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101689588335 IPC(主分类):C04B 35/493 专利申请号:2016103908900 申请日:20160602
2019-12-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 41/187 申请公布日:20161102

共 50 条

[1]

一种氧化镱掺杂低温制备PZT基压电陶瓷 [P].

刘洪 ;

张倩 ;

朱建国 ;

余萍 ;

宋慧瑾 .

中国专利 :CN106673648A ,2017-05-17

[2]

PZT基压电陶瓷的制备方法 [P].

刘洁 ;

王竹 .

中国专利 :CN106187182A ,2016-12-07

[3]

PZT基压电陶瓷及其制备方法和压电器件 [P].

孙铭泽 ;

曹文武 .

中国专利 :CN119430925A ,2025-02-14

[4]

一种Sm离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

沈培锋 ;

王妍 ;

陈挺 ;

钱森 ;

陈川 ;

李勇 ;

张泽 ;

汤德宝 ;

何天雨 ;

鞠玲 ;

姚建光 ;

翁蓓蓓 ;

程阳 ;

陆子渊 ;

李双伟 ;

贾骏 ;

吴艳 ;

袁乐 .

中国专利 :CN116655377B ,2024-12-06

[5]

一种PZT基压电陶瓷及其制备方法 [P].

李益民 ;

王霄 .

中国专利 :CN112645709A ,2021-04-13

[6]

一种La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

严继康 ;

甘有为 ;

姜贵民 ;

刘明 ;

甘国友 ;

谈松林 ;

张家敏 ;

杜景红 ;

易建宏 .

中国专利 :CN107540373A ,2018-01-05

[7]

低温共烧制备银电极的PZT基压电陶瓷厚膜材料的方法 [P].

马卫兵 ;

白洋 ;

孙清池 ;

葛琴雯 ;

刘志华 .

中国专利 :CN102863220B ,2013-01-09

[8]

La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷及其制备方法 [P].

马卫兵 ;

王燕云 ;

郭瑶仙 .

中国专利 :CN106083039A ,2016-11-09

[9]

锆钛酸钡钙基压电陶瓷及其制备方法 [P].

刘来君 ;

方亮 ;

杨曌 ;

胡长征 ;

周焕福 .

中国专利 :CN101648807A ,2010-02-17

[10]

一种PZT基复合压电陶瓷制备方法及PZT基复合压电陶瓷 [P].

宋波 ;

袁征 ;

李艳杰 .

中国专利 :CN106495693A ,2017-03-15

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