PSN-PZT压电陶瓷片及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201711440039.5
申请日
2017-12-27
公开(公告)号
CN108249919A
公开(公告)日
2018-07-06
发明(设计)人
张珍宣 刘长流 戴昭波 张玉芬 陈键 高智红
申请人
申请人地址
550018 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段236号
IPC主分类号
C04B35493
IPC分类号
C04B35622 C04B3563 C04B4188 H01L41187 H01L4137
代理机构
贵阳春秋知识产权代理事务所(普通合伙) 52109
代理人
杨云
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
三元系PSN-PZT压电陶瓷片及其制备方法 [P]. 
戴昭波 ;
刘长流 ;
张珍宣 ;
张玉芬 ;
陈键 ;
高智红 .
中国专利 :CN108275998A ,2018-07-13
[2]
La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷及其制备方法 [P]. 
马卫兵 ;
王燕云 ;
郭瑶仙 .
中国专利 :CN106083039A ,2016-11-09
[3]
一种具有高kp值的PSN-PZT压电陶瓷及其制备方法 [P]. 
李国荣 ;
黄思瑜 ;
曾江涛 ;
郑嘹赢 ;
时雪 .
中国专利 :CN112759390A ,2021-05-07
[4]
一种PZT-PNN-PSN-PMN压电陶瓷及其制备方法 [P]. 
卢远豪 ;
廖文湧 ;
何兴晨 ;
李涛 .
中国专利 :CN114591082A ,2022-06-07
[5]
PZT压电陶瓷片高电压极化装置 [P]. 
尹明 ;
汪力 .
中国专利 :CN203668249U ,2014-06-25
[6]
一种兼具高机械品质因数和大压电系数的PSN-PZT基压电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
梁瑞虹 ;
肖维 ;
陈政燃 .
中国专利 :CN118955128B ,2025-10-17
[7]
一种兼具高机械品质因数和大压电系数的PSN-PZT基压电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
梁瑞虹 ;
肖维 ;
陈政燃 .
中国专利 :CN118955128A ,2024-11-15
[8]
压电陶瓷片 [P]. 
陈中煌 ;
晋学贵 ;
李定为 .
中国专利 :CN216213542U ,2022-04-05
[9]
改性PZT压电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
徐锦生 .
中国专利 :CN104129992A ,2014-11-05
[10]
玻璃粉及其制备方法、压电陶瓷及其制备方法、压电陶瓷器件 [P]. 
杨月霞 ;
杨彬 ;
应红 ;
刘光明 ;
李娓 .
中国专利 :CN110498603A ,2019-11-26