三元系PSN-PZT压电陶瓷片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711440479.0

申请日：

2017-12-27

公开(公告)号：

CN108275998A

公开(公告)日：

2018-07-13

发明(设计)人：

戴昭波刘长流张珍宣张玉芬陈键高智红

申请人：

申请人地址：

550018 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段236号

IPC主分类号：

C04B35491

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

贵阳春秋知识产权代理事务所(普通合伙) 52109

代理人：

杨云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-13	公开	公开
2018-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/491 申请日:20171227
2020-12-04	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C04B 35/491 申请公布日:20180713

共 50 条

[1]

PSN-PZT压电陶瓷片及其制备方法 [P].

张珍宣 ;

刘长流 ;

戴昭波 ;

张玉芬 ;

陈键 ;

高智红 .

中国专利 :CN108249919A ,2018-07-06

[2]

La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷及其制备方法 [P].

马卫兵 ;

王燕云 ;

郭瑶仙 .

中国专利 :CN106083039A ,2016-11-09

[3]

一种具有高kp值的PSN-PZT压电陶瓷及其制备方法 [P].

李国荣 ;

黄思瑜 ;

曾江涛 ;

郑嘹赢 ;

时雪 .

中国专利 :CN112759390A ,2021-05-07

[4]

一种PZT-PNN-PSN-PMN压电陶瓷及其制备方法 [P].

卢远豪 ;

廖文湧 ;

何兴晨 ;

李涛 .

中国专利 :CN114591082A ,2022-06-07

[5]

三元系压电陶瓷及其制备方法和压电器件 [P].

李嘉祺 ;

曹文武 .

中国专利 :CN118812258A ,2024-10-22

[6]

高居里温度“收发”两用型PZT三元系压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

黄碧 ;

尹协琳 .

中国专利 :CN112552047A ,2021-03-26

[7]

一种“收/发”两用型PZT-Pb(Sb2/3Mn1/3)三元系压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

李玉成 ;

姚烈 ;

董显林 .

中国专利 :CN102260079A ,2011-11-30

[8]

一种不同温度预烧料混合的PZT压电陶瓷及其制备方法 [P].

尚勋忠 ;

周桃生 ;

古雪姣 ;

郭健 ;

吴静 .

中国专利 :CN107117964B ,2017-09-01

[9]

扬声器用四元系压电陶瓷及其制备方法 [P].

张静 ;

官瑶 ;

江平 ;

张元松 ;

褚涛 ;

钟敏 ;

燕周民 .

中国专利 :CN112457011A ,2021-03-09

[10]

一种BNT掺杂大功率三元系铅基PMnS-PZT的压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

郇正利 ;

费璇 ;

董超 ;

马立智 .

中国专利 :CN119156116A ,2024-12-17

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