一种不同温度预烧料混合的PZT压电陶瓷及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710339829.8

申请日：

2017-05-15

公开(公告)号：

CN107117964B

公开(公告)日：

2017-09-01

发明(设计)人：

尚勋忠周桃生古雪姣郭健吴静

申请人：

申请人地址：

430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

IPC主分类号：

C04B35491

IPC分类号：

C04B35622 C04B35626 C04B4188

代理机构：

北京金智普华知识产权代理有限公司 11401

代理人：

杨采良

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-01	公开	公开
2019-09-06	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C04B 35/491 登记生效日:20190819 变更事项:申请人变更前权利人:湖北大学变更后权利人:湖北大学变更事项:地址变更前权利人:430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号变更后权利人:430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号变更事项:申请人变更后权利人:悠创态（武汉）科技有限公司
2017-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效专利申请号:2017103398298 申请日:20170515 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101750375545 IPC(主分类):C04B 35/491
2019-09-13	授权	授权

共 50 条

[1]

La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷及其制备方法 [P].

马卫兵 ;

王燕云 ;

郭瑶仙 .

中国专利 :CN106083039A ,2016-11-09

[2]

一种预烧料中添加纳米粉体的改性PZT系压电陶瓷及其制备方法 [P].

洪樟连 ;

王振 ;

陶锋烨 ;

李广慧 ;

郭煌 ;

戴黎明 ;

胥金华 ;

张火荣 ;

王民权 .

中国专利 :CN1958510A ,2007-05-09

[3]

三元系PSN-PZT压电陶瓷片及其制备方法 [P].

戴昭波 ;

刘长流 ;

张珍宣 ;

张玉芬 ;

陈键 ;

高智红 .

中国专利 :CN108275998A ,2018-07-13

[4]

一种PZT压电陶瓷的制备方法 [P].

黄秋兰 .

中国专利 :CN107720819A ,2018-02-23

[5]

一种新型光致变色压电陶瓷及其制备方法 [P].

郭金明 ;

杨滨 ;

张豪 .

中国专利 :CN119118665A ,2024-12-13

[6]

PSN-PZT压电陶瓷片及其制备方法 [P].

张珍宣 ;

刘长流 ;

戴昭波 ;

张玉芬 ;

陈键 ;

高智红 .

中国专利 :CN108249919A ,2018-07-06

[7]

一种制备PZT压电陶瓷粉体的方法 [P].

杨志峰 ;

王士维 ;

王根水 ;

周志勇 ;

刘少华 ;

韩晓春 .

中国专利 :CN103864422A ,2014-06-18

[8]

一种制备PZT压电陶瓷薄膜的方法 [P].

朱孔军 ;

裘进浩 ;

孟庆华 ;

董娜娜 ;

季宏丽 .

中国专利 :CN102060531A ,2011-05-18

[9]

改性PZT基高温压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

曹建新 ;

张煜 ;

杨林 ;

李庆利 .

中国专利 :CN101224978A ,2008-07-23

[10]

高居里温度的PZT压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

孙兆海 ;

马涛 .

中国专利 :CN104291817A ,2015-01-21

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