一种(100)择优取向的PMN-PZT/PZT异质结构薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010000374.9

申请日：

2020-01-02

公开(公告)号：

CN111081864A

公开(公告)日：

2020-04-28

发明(设计)人：

邹赫麟王兴

申请人：

申请人地址：

116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

IPC主分类号：

H01L4118

IPC分类号：

H01L4137 C23C1402 C23C1408 C23C1435

代理机构：

大连理工大学专利中心 21200

代理人：

隋秀文;温福雪

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-07	授权	授权
2020-04-28	公开	公开
2020-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 41/18 申请日:20200102

共 50 条

[1]

一种(100)择优取向和高介电常数的锆钛酸铅压电薄膜的制备方法 [P].

韩梅 ;

王力成 .

中国专利 :CN110092662B ,2019-08-06

[2]

一种具有(100)晶粒择优取向的锆钛酸铅薄膜及其制备方法 [P].

邹赫麟 ;

王兴 ;

韩梅 .

中国专利 :CN109761605A ,2019-05-17

[3]

一种(100)择优取向铁酸铋薄膜的制备方法 [P].

柯华 ;

徐加焕 ;

贾德昌 ;

王文 ;

周玉 .

中国专利 :CN101186341A ,2008-05-28

[4]

一种(020)择优取向钛酸铋薄膜的制备方法 [P].

柯华 ;

徐加焕 ;

王文 ;

陈林 ;

贾德昌 .

中国专利 :CN101376598B ,2009-03-04

[5]

一种PZT压电薄膜及其制备方法 [P].

纪健超 ;

杜彬 .

中国专利 :CN120329037A ,2025-07-18

[6]

具有(100)晶粒择优取向的锆钛酸铅厚膜的制备方法 [P].

任巍 ;

朱宛琳 ;

辛红 ;

史鹏 ;

吴小清 ;

陈晓峰 ;

姚熹 .

中国专利 :CN101717272B ,2010-06-02

[7]

BNdT铁电薄膜择优取向生长的制备方法 [P].

卢朝靖 ;

刘晓林 ;

陈晓琴 ;

李金华 ;

乔燕 .

中国专利 :CN1850722A ,2006-10-25

[8]

一种PZT薄膜的制备方法 [P].

张炎 .

中国专利 :CN101759434A ,2010-06-30

[9]

一种具有(100)取向的掺钆锆钛酸铅薄膜及其制备方法 [P].

邹赫麟 ;

许文才 ;

李奇 ;

周毅 ;

王文强 ;

韩梅 .

中国专利 :CN108069715B ,2018-05-25

[10]

一种择优取向的AlN压电薄膜及其制备方法 [P].

陈希明 ;

李福龙 ;

薛玉明 ;

朱宇清 ;

张倩 ;

阴聚乾 ;

郭燕 ;

孙连婕 .

中国专利 :CN103095244A ,2013-05-08

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