一种(020)择优取向钛酸铋薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810137246.8

申请日：

2008-09-28

公开(公告)号：

CN101376598B

公开(公告)日：

2009-03-04

发明(设计)人：

柯华徐加焕王文陈林贾德昌

申请人：

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

C04B4150

IPC分类号：

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

金永焕

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-11-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101542122550 IPC(主分类):C04B 41/50 专利号:ZL2008101372468 申请日:20080928 授权公告日:20110914 终止日期:20120928
2011-09-14	授权	授权
2009-03-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种(100)择优取向铁酸铋薄膜的制备方法 [P].

柯华 ;

徐加焕 ;

贾德昌 ;

王文 ;

周玉 .

中国专利 :CN101186341A ,2008-05-28

[2]

高度择优取向钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电薄膜的制备方法 [P].

翟继卫 ;

李朋 ;

沈波 ;

李伟 .

中国专利 :CN104609856A ,2015-05-13

[3]

一种钛酸铋铁电薄膜制备方法 [P].

王趱 ;

姜伟 ;

李三喜 ;

刘力梅 ;

张文政 .

中国专利 :CN102515748A ,2012-06-27

[4]

具有高度择优取向的纯相铁酸铋薄膜的制备方法 [P].

张伟 ;

吴浩 ;

朱海勇 ;

张雪花 ;

胡芳仁 .

中国专利 :CN109627043B ,2019-04-16

[5]

控制锆钛酸铅铁电薄膜择优取向的方法 [P].

李建康 ;

闫仕农 .

中国专利 :CN1779926A ,2006-05-31

[6]

一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法 [P].

杨长红 ;

冯超 ;

李姝欣 ;

韩亚洁 ;

胡雪卿 ;

焦芳莹 ;

钱进 ;

杜雄斌 .

中国专利 :CN104844197B ,2015-08-19

[7]

一种钛酸铋纳米管制备方法 [P].

陆强 .

中国专利 :CN104402048A ,2015-03-11

[8]

BNdT铁电薄膜择优取向生长的制备方法 [P].

卢朝靖 ;

刘晓林 ;

陈晓琴 ;

李金华 ;

乔燕 .

中国专利 :CN1850722A ,2006-10-25

[9]

一种择优取向氯化钠薄膜的制备方法 [P].

刘科高 ;

田彬 ;

纪念静 ;

石磊 ;

许斌 .

中国专利 :CN102602963A ,2012-07-25

[10]

一种择优取向氯化铵薄膜的制备方法 [P].

刘科高 ;

徐勇 ;

纪念静 ;

石磊 ;

许斌 .

中国专利 :CN102602961A ,2012-07-25

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