一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510231730.7

申请日：

2015-05-08

公开(公告)号：

CN104844197B

公开(公告)日：

2015-08-19

发明(设计)人：

杨长红冯超李姝欣韩亚洁胡雪卿焦芳莹钱进杜雄斌

申请人：

申请人地址：

250022 山东省济南市南辛庄西路336号

IPC主分类号：

C04B35475

IPC分类号：

C04B35622 C01G2300

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101625672560 IPC(主分类):C04B 35/475 专利申请号:2015102317307 申请日:20150508
2017-07-14	授权	授权
2015-08-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种(020)择优取向钛酸铋薄膜的制备方法 [P].

柯华 ;

徐加焕 ;

王文 ;

陈林 ;

贾德昌 .

中国专利 :CN101376598B ,2009-03-04

[2]

一种降低钛酸铋钠基薄膜矫顽场及提高其耐压性的方法 [P].

杨长红 ;

冯超 ;

吴海涛 ;

韩亚洁 ;

钱进 .

中国专利 :CN104496468A ,2015-04-08

[3]

一种(100)择优取向铁酸铋薄膜的制备方法 [P].

柯华 ;

徐加焕 ;

贾德昌 ;

王文 ;

周玉 .

中国专利 :CN101186341A ,2008-05-28

[4]

高度择优取向钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电薄膜的制备方法 [P].

翟继卫 ;

李朋 ;

沈波 ;

李伟 .

中国专利 :CN104609856A ,2015-05-13

[5]

一种钛酸铋钠基铁电薄膜的制备方法 [P].

沈波 ;

翟继卫 ;

方小磊 ;

周歧刚 .

中国专利 :CN101805181A ,2010-08-18

[6]

一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法 [P].

杨长红 ;

冯超 ;

钱进 ;

林秀娟 ;

程振祥 ;

黄世峰 .

中国专利 :CN111525021A ,2020-08-11

[7]

一种在硅基片上生长单一取向的锆钛酸铅薄膜的方法 [P].

赵柏儒 ;

林媛 ;

彭海兵 ;

郝昭 ;

许波 .

中国专利 :CN1303952A ,2001-07-18

[8]

一种钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法 [P].

沈波 ;

朱坤 ;

翟继卫 .

中国专利 :CN113213920B ,2021-08-06

[9]

一种高储能特性的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器及其制备方法 [P].

杨长红 ;

韩亚洁 ;

钱进 ;

吕盼盼 ;

陈乐欣 ;

林秀娟 ;

黄世峰 .

中国专利 :CN109494076B ,2019-03-19

[10]

在金属钛基片衬底上生长钛酸锶钡薄膜的方法 [P].

程晋荣 ;

朱伟诚 ;

孟中岩 ;

俞圣雯 .

中国专利 :CN101074491A ,2007-11-21

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