一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010320707.6

申请日：

2020-04-22

公开(公告)号：

CN111525021A

公开(公告)日：

2020-08-11

发明(设计)人：

杨长红冯超钱进林秀娟程振祥黄世峰

申请人：

申请人地址：

250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号

IPC主分类号：

H01L3518

IPC分类号：

H01L3522 H01L3534 C23C2800 C23C1812 C23C1418 C23C1435 B05D100 B05D302 B05D724 C01G2900

代理机构：

济南泉城专利商标事务所 37218

代理人：

李桂存

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-11	公开	公开
2020-09-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 35/18 申请日:20200422

共 50 条

[1]

一种负电卡效应的钛酸铋钠基无铅陶瓷及其制备方法 [P].

郝喜红 ;

徐子盛 ;

李晓伟 ;

张奇伟 ;

杨吉春 ;

安胜利 .

中国专利 :CN104987064A ,2015-10-21

[2]

一种钛酸铋钠基铁电薄膜的制备方法 [P].

沈波 ;

翟继卫 ;

方小磊 ;

周歧刚 .

中国专利 :CN101805181A ,2010-08-18

[3]

一种钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法 [P].

沈波 ;

朱坤 ;

翟继卫 .

中国专利 :CN113213920B ,2021-08-06

[4]

一种高储能特性的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器及其制备方法 [P].

杨长红 ;

韩亚洁 ;

钱进 ;

吕盼盼 ;

陈乐欣 ;

林秀娟 ;

黄世峰 .

中国专利 :CN109494076B ,2019-03-19

[5]

一种钛酸铋钠基铁电薄膜及其制备方法 [P].

潘锴 ;

黄文强 ;

张世军 ;

赵昌兴 ;

谢淑红 ;

刘运牙 ;

山东良 .

中国专利 :CN118164754A ,2024-06-11

[6]

一种钛酸铋钠基铁电薄膜及其制备方法 [P].

潘锴 ;

黄文强 ;

张世军 ;

赵昌兴 ;

谢淑红 ;

刘运牙 ;

山东良 .

中国专利 :CN118164754B ,2025-12-19

[7]

具有负电卡效应的钛酸铋基铋层状结构无铅压电陶瓷及其制备方法 [P].

董显林 ;

谢新春 ;

周志勇 .

中国专利 :CN113683410B ,2021-11-23

[8]

一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法 [P].

杨长红 ;

冯超 ;

李姝欣 ;

韩亚洁 ;

胡雪卿 ;

焦芳莹 ;

钱进 ;

杜雄斌 .

中国专利 :CN104844197B ,2015-08-19

[9]

一种降低钛酸铋钠基薄膜矫顽场及提高其耐压性的方法 [P].

杨长红 ;

冯超 ;

吴海涛 ;

韩亚洁 ;

钱进 .

中国专利 :CN104496468A ,2015-04-08

[10]

一种锌掺杂的钛酸铋钠薄膜及其低温制备方法 [P].

杨长红 ;

隋慧婷 ;

冯超 .

中国专利 :CN103708739A ,2014-04-09

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