一种降低钛酸铋钠基薄膜矫顽场及提高其耐压性的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410693444.8

申请日：

2014-11-27

公开(公告)号：

CN104496468A

公开(公告)日：

2015-04-08

发明(设计)人：

杨长红冯超吴海涛韩亚洁钱进

申请人：

申请人地址：

250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号

IPC主分类号：

C04B35475

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101608394603 IPC(主分类):C04B 35/475 专利申请号:2014106934448 申请日:20141127
2017-02-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101745880621 IPC(主分类):C04B 35/475 专利申请号:2014106934448 申请公布日:20150408
2015-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法 [P].

杨长红 ;

冯超 ;

李姝欣 ;

韩亚洁 ;

胡雪卿 ;

焦芳莹 ;

钱进 ;

杜雄斌 .

中国专利 :CN104844197B ,2015-08-19

[2]

一种钛酸铋钠基铁电薄膜的制备方法 [P].

沈波 ;

翟继卫 ;

方小磊 ;

周歧刚 .

中国专利 :CN101805181A ,2010-08-18

[3]

一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法 [P].

杨长红 ;

冯超 ;

钱进 ;

林秀娟 ;

程振祥 ;

黄世峰 .

中国专利 :CN111525021A ,2020-08-11

[4]

一种钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法 [P].

沈波 ;

朱坤 ;

翟继卫 .

中国专利 :CN113213920B ,2021-08-06

[5]

一种高储能特性的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器及其制备方法 [P].

杨长红 ;

韩亚洁 ;

钱进 ;

吕盼盼 ;

陈乐欣 ;

林秀娟 ;

黄世峰 .

中国专利 :CN109494076B ,2019-03-19

[6]

一种基于钛酸铋钠基和铁酸铋基的复合固溶体薄膜及其制备方法 [P].

杨长红 ;

芦泽宇 ;

杨锋 ;

胡广达 .

中国专利 :CN102244192A ,2011-11-16

[7]

一种锌掺杂的钛酸铋钠薄膜及其低温制备方法 [P].

杨长红 ;

隋慧婷 ;

冯超 .

中国专利 :CN103708739A ,2014-04-09

[8]

一种钛酸铋钠基铁电薄膜及其制备方法 [P].

潘锴 ;

黄文强 ;

张世军 ;

赵昌兴 ;

谢淑红 ;

刘运牙 ;

山东良 .

中国专利 :CN118164754A ,2024-06-11

[9]

一种钛酸铋钠基铁电薄膜及其制备方法 [P].

潘锴 ;

黄文强 ;

张世军 ;

赵昌兴 ;

谢淑红 ;

刘运牙 ;

山东良 .

中国专利 :CN118164754B ,2025-12-19

[10]

一种B位等价锆离子掺杂的钛酸铋钠薄膜 [P].

杨长红 ;

隋慧婷 ;

吴海涛 ;

杨锋 ;

胡广达 .

中国专利 :CN104072129A ,2014-10-01

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