一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510231730.7

申请日：

2015-05-08

公开(公告)号：

CN104844197B

公开(公告)日：

2015-08-19

发明(设计)人：

杨长红冯超李姝欣韩亚洁胡雪卿焦芳莹钱进杜雄斌

申请人：

申请人地址：

250022 山东省济南市南辛庄西路336号

IPC主分类号：

C04B35475

IPC分类号：

C04B35622 C01G2300

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101625672560 IPC(主分类):C04B 35/475 专利申请号:2015102317307 申请日:20150508
2017-07-14	授权	授权
2015-08-19	公开	公开

共 50 条

[21]

一种由A位离子空位诱导的钛酸铋钠基自收张制冷钙钛矿陶瓷材料及制备方法 [P].

沈波 ;

李国辉 ;

翟继卫 .

中国专利 :CN113698195B ,2021-11-26

[22]

一种钛酸铋钠基压电陶瓷的制备方法 [P].

任鹏荣 ;

王家乐 ;

王欣 .

中国专利 :CN110981468B ,2020-04-10

[23]

基于镍酸镧过渡层制取高度择优取向的铌酸钾钠薄膜的制备方法 [P].

张伟 ;

朱海勇 ;

吴浩 ;

鲍建秋 ;

张雪花 ;

胡芳仁 .

中国专利 :CN110204361A ,2019-09-06

[24]

一种择优取向氯化钠薄膜的制备方法 [P].

刘科高 ;

田彬 ;

纪念静 ;

石磊 ;

许斌 .

中国专利 :CN102602963A ,2012-07-25

[25]

一种在硅基片上制备钙钛矿薄膜的方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN115332451B ,2024-12-10

[26]

一种钛酸铋钠基储能陶瓷材料 [P].

张岭 ;

肖佳明 ;

贠瑶瑶 ;

蔡新红 .

中国专利 :CN116874297B ,2024-10-22

[27]

一种在硅基片上制备钙钛矿薄膜的方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN115332451A ,2022-11-11

[28]

一种具有成分梯度结构钛酸铋钠基弛豫铁电陶瓷材料以及制备方法 [P].

翟继卫 ;

林伟康 ;

李国辉 ;

沈波 .

中国专利 :CN117776715A ,2024-03-29

[29]

外延生长的具有垂直相界的铌酸钾钠-锆酸钡-钛酸铋钠无铅压电薄膜的制备方法 [P].

王玲艳 ;

任巍 ;

陈文 ;

赵金燕 ;

刘明 .

中国专利 :CN105200404A ,2015-12-30

[30]

高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法 [P].

沈波 ;

朱坤 ;

翟继卫 .

中国专利 :CN116234412B ,2025-10-14

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