高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211726940.X

申请日：

2022-12-30

公开(公告)号：

CN116234412B

公开(公告)日：

2025-10-14

发明(设计)人：

沈波朱坤翟继卫

申请人：

同济大学

申请人地址：

200092 上海市杨浦区四平路1239号

IPC主分类号：

H10N30/853

IPC分类号：

H10N30/093

代理机构：

上海德昭知识产权代理有限公司 31204

代理人：

陈龙梅

法律状态：

授权

国省代码：

上海市市辖区

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法 [P].

沈波 ;

朱坤 ;

翟继卫 .

中国专利 :CN113213920B ,2021-08-06

[2]

钛酸铋钠基高应变无铅压电陶瓷及其制备方法 [P].

樊慧庆 ;

时婧 .

中国专利 :CN102173788A ,2011-09-07

[3]

高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法 [P].

翟继卫 ;

吴双昊 ;

沈波 .

中国专利 :CN110473959B ,2019-11-19

[4]

一种具有高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电材料及其制备方法 [P].

王飞飞 ;

石旺舟 ;

徐敏 ;

金成超 ;

姚其容 .

中国专利 :CN102633503A ,2012-08-15

[5]

钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法 [P].

李凯 ;

赵小波 ;

俞胜平 ;

高洪伟 ;

丁薇薇 .

中国专利 :CN111087238B ,2020-05-01

[6]

钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的低温烧结制备方法 [P].

初瑞清 ;

邵林 ;

徐志军 ;

郝继功 ;

陈明丽 ;

姬万滨 ;

马帅 .

中国专利 :CN103880416B ,2014-06-25

[7]

一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法 [P].

杜毅 ;

王佳佳 .

中国专利 :CN110550953A ,2019-12-10

[8]

一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷 [P].

吕文中 ;

范桂芬 ;

汪小红 ;

梁飞 .

中国专利 :CN100361932C ,2006-10-25

[9]

具有高逆压电系数的钛酸铋钠基低铅压电薄膜及制备方法 [P].

翟继卫 ;

吴双昊 ;

沈波 .

中国专利 :CN110451954A ,2019-11-15

[10]

高度择优取向钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电薄膜的制备方法 [P].

翟继卫 ;

李朋 ;

沈波 ;

李伟 .

中国专利 :CN104609856A ,2015-05-13

← 1 2 3 4 5 →