高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910665900.0

申请日：

2019-07-23

公开(公告)号：

CN110473959B

公开(公告)日：

2019-11-19

发明(设计)人：

翟继卫吴双昊沈波

申请人：

申请人地址：

200092 上海市杨浦区四平路1239号

IPC主分类号：

H01L41187

IPC分类号：

H01L4139

代理机构：

上海科盛知识产权代理有限公司 31225

代理人：

陈亮

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-20	授权	授权
2019-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 41/187 申请日:20190723
2019-11-19	公开	公开

共 50 条

[1]

具有高逆压电系数的钛酸铋钠基低铅压电薄膜及制备方法 [P].

翟继卫 ;

吴双昊 ;

沈波 .

中国专利 :CN110451954A ,2019-11-15

[2]

一种具有高逆压电系数的铋基复合压电薄膜及其制备方法 [P].

何剑 ;

郭涛 ;

翟继卫 ;

陈亮 ;

原景超 .

中国专利 :CN117529211A ,2024-02-06

[3]

高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法 [P].

沈波 ;

朱坤 ;

翟继卫 .

中国专利 :CN116234412B ,2025-10-14

[4]

一种钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法 [P].

沈波 ;

朱坤 ;

翟继卫 .

中国专利 :CN113213920B ,2021-08-06

[5]

高度择优取向钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电薄膜的制备方法 [P].

翟继卫 ;

李朋 ;

沈波 ;

李伟 .

中国专利 :CN104609856A ,2015-05-13

[6]

钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法 [P].

李凯 ;

赵小波 ;

俞胜平 ;

高洪伟 ;

丁薇薇 .

中国专利 :CN111087238B ,2020-05-01

[7]

钛酸铋钠基高应变无铅压电陶瓷及其制备方法 [P].

樊慧庆 ;

时婧 .

中国专利 :CN102173788A ,2011-09-07

[8]

一种高压电系数钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法 [P].

张斗 ;

周学凡 ;

姜超 ;

罗行 ;

周科朝 .

中国专利 :CN108147813B ,2018-06-12

[9]

钛酸铋钠基和钛酸钡基多层复合压电薄膜及其制备方法 [P].

翟继卫 ;

李伟 .

中国专利 :CN104045340A ,2014-09-17

[10]

一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷 [P].

刘心宇 ;

周昌荣 .

中国专利 :CN101234895A ,2008-08-06

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