一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510231730.7

申请日：

2015-05-08

公开(公告)号：

CN104844197B

公开(公告)日：

2015-08-19

发明(设计)人：

杨长红冯超李姝欣韩亚洁胡雪卿焦芳莹钱进杜雄斌

申请人：

申请人地址：

250022 山东省济南市南辛庄西路336号

IPC主分类号：

C04B35475

IPC分类号：

C04B35622 C01G2300

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101625672560 IPC(主分类):C04B 35/475 专利申请号:2015102317307 申请日:20150508
2017-07-14	授权	授权
2015-08-19	公开	公开

共 50 条

[41]

一种高应变钛酸铋钠基陶瓷及其制备方法 [P].

刘霄 ;

杜慧玲 ;

时婧 .

中国专利 :CN107056281A ,2017-08-18

[42]

一种钛酸铋钠基陶瓷粉体及其制备方法 [P].

田永尚 ;

李水云 ;

井强山 ;

孙书杰 ;

曹丽嘉 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN107867854B ,2018-04-03

[43]

一种400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备方法 [P].

朱归胜 ;

徐华蕊 ;

陈一达 ;

赵昀云 ;

张秀元 ;

颜东亮 .

中国专利 :CN106854754A ,2017-06-16

[44]

一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备工艺 [P].

杜慧玲 ;

王婷 ;

史翔 .

中国专利 :CN101462875A ,2009-06-24

[45]

一种钛酸铋钠‑钛酸铋钾基无铅压电陶瓷及其制备方法 [P].

戴叶婧 ;

段少锋 .

中国专利 :CN107117960A ,2017-09-01

[46]

一种镍铁氧体薄膜低温制备及择优取向调控方法 [P].

冉茂君 ;

余忠 ;

周晓军 ;

邬传健 ;

张凯 ;

孙科 ;

蒋晓娜 ;

李启帆 ;

兰中文 ;

李子愚 .

中国专利 :CN117393262A ,2024-01-12

[47]

一种钛酸铋钠纳米片的制备方法 [P].

杨琳琳 ;

王永刚 ;

徐国辉 ;

王玉江 ;

王晓峰 ;

林海燕 ;

罗伟 .

中国专利 :CN102531582B ,2012-07-04

[48]

一种钛酸铋钠基无铅陶瓷材料、制备方法及应用 [P].

王娟娟 ;

赖福生 ;

陈明阳 ;

朱涛 .

中国专利 :CN119661215A ,2025-03-21

[49]

一种氮掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法 [P].

庞东方 ;

赵化愚 .

中国专利 :CN112159225A ,2021-01-01

[50]

一种钛酸铋钠基无铅陶瓷材料、制备方法及应用 [P].

王娟娟 ;

赖福生 ;

陈明阳 ;

朱涛 .

中国专利 :CN119661215B ,2025-10-21

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