一种在硅基片上生长单一取向的锆钛酸铅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00100116.7

申请日：

2000-01-11

公开(公告)号：

CN1303952A

公开(公告)日：

2001-07-18

发明(设计)人：

赵柏儒林媛彭海兵郝昭许波

申请人：

申请人地址：

100080北京市603信箱

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1428

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-09-10	授权	授权
2001-07-18	公开	公开
2007-03-14	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法 [P].

王福平 ;

孙秋 ;

魏兆冬 ;

成海涛 ;

姜兆华 .

中国专利 :CN100432018C ,2007-10-10

[2]

清洗锆钛酸铅薄膜的方法 [P].

李俊冀 ;

金昌桢 ;

郑一燮 .

中国专利 :CN1241457A ,2000-01-19

[3]

一种负热膨胀锆钛酸铅薄膜的制备方法 [P].

祁亚军 ;

管昌新 ;

章天金 ;

梁坤 .

中国专利 :CN108559954B ,2018-09-21

[4]

一种锆钛酸铅薄膜的制备方法 [P].

王凤霞 ;

陈涛 ;

孙立宁 .

中国专利 :CN108517503A ,2018-09-11

[5]

一种制备锆钛酸铅薄膜的方法 [P].

仇萍荪 ;

丁爱丽 ;

何夕云 ;

罗维根 .

中国专利 :CN1092169C ,2000-08-16

[6]

一种柔性锆钛酸铅薄膜的制备方法 [P].

徐小科 ;

李效民 ;

刘茜 ;

周真真 .

中国专利 :CN113529032A ,2021-10-22

[7]

一种具有(100)取向的掺钆锆钛酸铅薄膜及其制备方法 [P].

邹赫麟 ;

许文才 ;

李奇 ;

周毅 ;

王文强 ;

韩梅 .

中国专利 :CN108069715B ,2018-05-25

[8]

一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法 [P].

杨长红 ;

冯超 ;

李姝欣 ;

韩亚洁 ;

胡雪卿 ;

焦芳莹 ;

钱进 ;

杜雄斌 .

中国专利 :CN104844197B ,2015-08-19

[9]

铁电材料锆钛酸铅纳米薄膜结晶取向生长的晶化方法 [P].

李言荣 ;

黄文 ;

蒋书文 ;

朱俊 ;

张鹰 .

中国专利 :CN1811008A ,2006-08-02

[10]

一种组合合成锆钛酸铅薄膜的方法 [P].

何岗 ;

赵德森 ;

何明中 ;

洪建和 .

中国专利 :CN102173796B ,2011-09-07

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