一种择优取向氯化铵薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210062586.5

申请日：

2012-03-12

公开(公告)号：

CN102602961A

公开(公告)日：

2012-07-25

发明(设计)人：

刘科高徐勇纪念静石磊许斌

申请人：

申请人地址：

250101 山东省济南市临港开发区凤鸣路山东建筑大学

IPC主分类号：

C01C116

IPC分类号：

C04B4150

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-07	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101700677997 IPC(主分类):C01C 1/16 专利申请号:2012100625865 申请公布日:20120725
2012-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101328713396 IPC(主分类):C01C 1/16 专利申请号:2012100625865 申请日:20120312
2012-07-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种择优取向氯化铵薄膜 [P].

刘科高 ;

李静 ;

孙齐磊 ;

石磊 ;

许斌 .

中国专利 :CN103449841A ,2013-12-18

[2]

一种择优取向氯化钠薄膜的制备方法 [P].

刘科高 ;

田彬 ;

纪念静 ;

石磊 ;

许斌 .

中国专利 :CN102602963A ,2012-07-25

[3]

一种择优取向生长的硫化二铜薄膜 [P].

刘科高 ;

孙昌 ;

李静 ;

许斌 ;

石磊 .

中国专利 :CN102709351A ,2012-10-03

[4]

一种(020)择优取向钛酸铋薄膜的制备方法 [P].

柯华 ;

徐加焕 ;

王文 ;

陈林 ;

贾德昌 .

中国专利 :CN101376598B ,2009-03-04

[5]

一种(100)择优取向铁酸铋薄膜的制备方法 [P].

柯华 ;

徐加焕 ;

贾德昌 ;

王文 ;

周玉 .

中国专利 :CN101186341A ,2008-05-28

[6]

BNdT铁电薄膜择优取向生长的制备方法 [P].

卢朝靖 ;

刘晓林 ;

陈晓琴 ;

李金华 ;

乔燕 .

中国专利 :CN1850722A ,2006-10-25

[7]

一种(200)择优取向硫化铅薄膜的制备方法 [P].

邓宏 ;

陈金菊 ;

韦敏 ;

李国伟 .

中国专利 :CN101792930A ,2010-08-04

[8]

一种400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备方法 [P].

朱归胜 ;

徐华蕊 ;

陈一达 ;

赵昀云 ;

张秀元 ;

颜东亮 .

中国专利 :CN106854754A ,2017-06-16

[9]

一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉积方法 [P].

周灵平 ;

李智 ;

朱家俊 ;

彭坤 .

中国专利 :CN101824592A ,2010-09-08

[10]

一种制备氯化铵的方法 [P].

李法强 ;

王敏 ;

贾国凤 ;

彭正军 ;

祝增虎 ;

诸葛芹 ;

时历杰 ;

赵有璟 ;

李锦丽 .

中国专利 :CN104071804A ,2014-10-01

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