一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010183319.4

申请日：

2010-05-26

公开(公告)号：

CN101824592A

公开(公告)日：

2010-09-08

发明(设计)人：

周灵平李智朱家俊彭坤

申请人：

申请人地址：

410082 湖南省长沙市麓山南路2号

IPC主分类号：

C23C1406

IPC分类号：

C23C1446 C23C1435

代理机构：

长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113

代理人：

马强

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-20	授权	授权
2010-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101010886230 IPC(主分类):C23C 14/06 专利申请号:2010101833194 申请日:20100526
2018-09-04	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C23C 14/06 登记生效日:20180816 变更事项:专利权人变更前权利人:湖南大学变更后权利人:湖南特瑞精密医疗器械有限公司变更事项:地址变更前权利人:410082 湖南省长沙市麓山南路2号变更后权利人:410000 湖南省长沙市开福区沙坪街道中青路1048号山河医药健康产业园标准厂房5-8栋612、613房
2010-09-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种择优取向的AlN压电薄膜及其制备方法 [P].

陈希明 ;

李福龙 ;

薛玉明 ;

朱宇清 ;

张倩 ;

阴聚乾 ;

郭燕 ;

孙连婕 .

中国专利 :CN103095244A ,2013-05-08

[2]

一种AlN薄膜的制备方法 [P].

王文庆 .

中国专利 :CN106282915A ,2017-01-04

[3]

BNdT铁电薄膜择优取向生长的制备方法 [P].

卢朝靖 ;

刘晓林 ;

陈晓琴 ;

李金华 ;

乔燕 .

中国专利 :CN1850722A ,2006-10-25

[4]

一种择优取向生长的硫化二铜薄膜 [P].

刘科高 ;

孙昌 ;

李静 ;

许斌 ;

石磊 .

中国专利 :CN102709351A ,2012-10-03

[5]

一种a轴取向增强型AlN薄膜及其制备方法 [P].

杨成韬 ;

牛东伟 ;

唐佳琳 ;

胡现伟 ;

泰智薇 .

中国专利 :CN106244984A ,2016-12-21

[6]

一种C轴垂直择优取向AlN压电薄膜及其制备方法 [P].

郑泽渔 ;

赵雪梅 .

中国专利 :CN112382718A ,2021-02-19

[7]

BaTi2O5薄膜择优取向生长的制备方法 [P].

戴英 ;

杨磊 ;

杨莹 ;

裴新美 ;

陈文 .

中国专利 :CN102584335B ,2012-07-18

[8]

择优取向的氮化铝薄膜的制备方法 [P].

罗景庭 ;

郭峰 ;

李志琼 ;

付琛 ;

陶然 .

中国专利 :CN114481026A ,2022-05-13

[9]

一种（211）择优取向Mo薄膜的制备方法 [P].

余洲 ;

刘连 ;

李珂 .

中国专利 :CN102912304A ,2013-02-06

[10]

一种具有高度(110)择优取向的钌酸锶薄膜的制备方法 [P].

王根水 ;

朱明康 ;

董显林 ;

陈莹 .

中国专利 :CN105088160A ,2015-11-25

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