一种择优取向生长的硫化二铜薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210181358.X

申请日：

2012-06-05

公开(公告)号：

CN102709351A

公开(公告)日：

2012-10-03

发明(设计)人：

刘科高孙昌李静许斌石磊

申请人：

申请人地址：

250101 山东省济南市临港开发区凤鸣路山东建筑大学

IPC主分类号：

H01L310392

IPC分类号：

H01L31032 H01L3118

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101714134355 IPC(主分类):H01L 31/0392 专利申请号:201210181358X 申请公布日:20121003
2012-10-03	公开	公开
2012-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101353321906 IPC(主分类):H01L 31/0392 专利申请号:201210181358X 申请日:20120605

共 50 条

[1]

一种择优取向氯化铵薄膜 [P].

刘科高 ;

李静 ;

孙齐磊 ;

石磊 ;

许斌 .

中国专利 :CN103449841A ,2013-12-18

[2]

一种择尤取向硫化二铜薄膜的制备方法 [P].

刘科高 ;

纪念静 ;

逄波 ;

孙齐磊 .

中国专利 :CN102153288A ,2011-08-17

[3]

一种择优取向氯化铵薄膜的制备方法 [P].

刘科高 ;

徐勇 ;

纪念静 ;

石磊 ;

许斌 .

中国专利 :CN102602961A ,2012-07-25

[4]

一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉积方法 [P].

周灵平 ;

李智 ;

朱家俊 ;

彭坤 .

中国专利 :CN101824592A ,2010-09-08

[5]

BNdT铁电薄膜择优取向生长的制备方法 [P].

卢朝靖 ;

刘晓林 ;

陈晓琴 ;

李金华 ;

乔燕 .

中国专利 :CN1850722A ,2006-10-25

[6]

一种择优取向氯化钠薄膜的制备方法 [P].

刘科高 ;

田彬 ;

纪念静 ;

石磊 ;

许斌 .

中国专利 :CN102602963A ,2012-07-25

[7]

一种(200)择优取向硫化铅薄膜的制备方法 [P].

邓宏 ;

陈金菊 ;

韦敏 ;

李国伟 .

中国专利 :CN101792930A ,2010-08-04

[8]

BaTi2O5薄膜择优取向生长的制备方法 [P].

戴英 ;

杨磊 ;

杨莹 ;

裴新美 ;

陈文 .

中国专利 :CN102584335B ,2012-07-18

[9]

一种择优取向生长的锡铅二元钙钛矿薄膜的制备方法及应用 [P].

杨丽丽 ;

孙岩森 ;

王奉友 ;

孙云飞 ;

范琳 ;

庞振宇 ;

杨景海 .

中国专利 :CN110808335B ,2020-02-18

[10]

制备具有择优取向生长结构的电镀铜层的方法及其应用 [P].

张芸 ;

朱自方 ;

马涛 ;

陈路明 ;

王靖 .

中国专利 :CN106521573B ,2017-03-22

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