一种(200)择优取向硫化铅薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910167920.1

申请日：

2009-10-16

公开(公告)号：

CN101792930A

公开(公告)日：

2010-08-04

发明(设计)人：

邓宏陈金菊韦敏李国伟

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

IPC主分类号：

C30B2946

IPC分类号：

C30B714 H01L31032 H01L3118

代理机构：

电子科技大学专利中心 51203

代理人：

葛启函

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-21	授权	授权
2010-08-04	公开	公开
2015-12-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101636684756 IPC(主分类):C30B 29/46 专利号:ZL2009101679201 申请日:20091016 授权公告日:20111221 终止日期:20141016
2010-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006070503 IPC(主分类):C30B 29/46 专利申请号:2009101679201 申请日:20091016

共 50 条

[1]

一种硫化铅薄膜 [P].

孙喜桂 ;

石磊 ;

张艺宁 ;

张云瑞 ;

王建鹏 ;

汪嘉一 .

中国专利 :CN109280906A ,2019-01-29

[2]

一种金属元素掺杂硫化铅材料及其制备方法和在金属元素掺杂硫化铅薄膜中的应用 [P].

唐江 ;

葛赐雨 ;

高亮 ;

刘婧 ;

李森 .

中国专利 :CN114291841B ,2024-04-05

[3]

一种金属元素掺杂硫化铅材料及其制备方法和在金属元素掺杂硫化铅薄膜中的应用 [P].

唐江 ;

葛赐雨 ;

高亮 ;

刘婧 ;

李森 .

中国专利 :CN114291841A ,2022-04-08

[4]

一种基底诱导改善硫化铅薄膜取向结晶性方法和硫化铅薄膜及其应用 [P].

葛赐雨 ;

唐江 ;

李森 ;

刘婧 ;

陈超 .

中国专利 :CN114774859A ,2022-07-22

[5]

宽吸收光谱的硫化铅薄膜及其制备方法 [P].

费广涛 ;

谢秉合 ;

许少辉 .

中国专利 :CN107315215B ,2017-11-03

[6]

一种择优取向生长的硫化二铜薄膜 [P].

刘科高 ;

孙昌 ;

李静 ;

许斌 ;

石磊 .

中国专利 :CN102709351A ,2012-10-03

[7]

一种化学液相法制备硫化铅薄膜的方法 [P].

石磊 ;

孙喜桂 ;

沈向丞 ;

张艺宁 ;

张云瑞 ;

吴晔 ;

巩鑫宇 ;

刘科高 .

中国专利 :CN109559977A ,2019-04-02

[8]

一种硫化铅溶胶的制备方法 [P].

邓宏 ;

姜文来 ;

冯强 ;

李星宇 ;

肖明迪 ;

何思祺 .

中国专利 :CN112678864A ,2021-04-20

[9]

一种择优取向氯化钠薄膜的制备方法 [P].

刘科高 ;

田彬 ;

纪念静 ;

石磊 ;

许斌 .

中国专利 :CN102602963A ,2012-07-25

[10]

一种择优取向氯化铵薄膜的制备方法 [P].

刘科高 ;

徐勇 ;

纪念静 ;

石磊 ;

许斌 .

中国专利 :CN102602961A ,2012-07-25

← 1 2 3 4 5 →