BNdT铁电薄膜择优取向生长的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610019125.4

申请日：

2006-05-23

公开(公告)号：

CN1850722A

公开(公告)日：

2006-10-25

发明(设计)人：

卢朝靖刘晓林陈晓琴李金华乔燕

申请人：

申请人地址：

430062湖北省武汉市武昌区宝集安

IPC主分类号：

C04B35624

IPC分类号：

C04B35462 C04B35622

代理机构：

武汉金堂专利事务所

代理人：

丁齐旭

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-02-20	授权	授权
2010-08-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101004441749 IPC(主分类):C04B 35/624 专利号:ZL2006100191254 申请日:20060523 授权公告日:20080220
2006-10-25	公开	公开

共 50 条

[1]

BaTi2O5薄膜择优取向生长的制备方法 [P].

戴英 ;

杨磊 ;

杨莹 ;

裴新美 ;

陈文 .

中国专利 :CN102584335B ,2012-07-18

[2]

一种择优取向生长的Bi5Ti3FeO15多铁性薄膜的制备方法 [P].

杨锋 ;

刘芬 ;

杨长红 ;

胡广达 ;

宗志豪 .

中国专利 :CN104045335B ,2014-09-17

[3]

控制锆钛酸铅铁电薄膜择优取向的方法 [P].

李建康 ;

闫仕农 .

中国专利 :CN1779926A ,2006-05-31

[4]

一种(100)择优取向铁酸铋薄膜的制备方法 [P].

柯华 ;

徐加焕 ;

贾德昌 ;

王文 ;

周玉 .

中国专利 :CN101186341A ,2008-05-28

[5]

一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉积方法 [P].

周灵平 ;

李智 ;

朱家俊 ;

彭坤 .

中国专利 :CN101824592A ,2010-09-08

[6]

一种择优取向生长的硫化二铜薄膜 [P].

刘科高 ;

孙昌 ;

李静 ;

许斌 ;

石磊 .

中国专利 :CN102709351A ,2012-10-03

[7]

一种(020)择优取向钛酸铋薄膜的制备方法 [P].

柯华 ;

徐加焕 ;

王文 ;

陈林 ;

贾德昌 .

中国专利 :CN101376598B ,2009-03-04

[8]

一种择优取向氯化铵薄膜的制备方法 [P].

刘科高 ;

徐勇 ;

纪念静 ;

石磊 ;

许斌 .

中国专利 :CN102602961A ,2012-07-25

[9]

制备具有择优取向生长结构的电镀铜层的方法及其应用 [P].

张芸 ;

朱自方 ;

马涛 ;

陈路明 ;

王靖 .

中国专利 :CN106521573B ,2017-03-22

[10]

一种择优取向生长的锡铅二元钙钛矿薄膜的制备方法及应用 [P].

杨丽丽 ;

孙岩森 ;

王奉友 ;

孙云飞 ;

范琳 ;

庞振宇 ;

杨景海 .

中国专利 :CN110808335B ,2020-02-18

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