控制锆钛酸铅铁电薄膜择优取向的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510094796.2

申请日：

2005-10-13

公开(公告)号：

CN1779926A

公开(公告)日：

2006-05-31

发明(设计)人：

李建康闫仕农

申请人：

申请人地址：

215011江苏省苏州市滨河路1701号

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L218239 H01L218247 H01L2102 H01L2100 C01G2300 C01G2500

代理机构：

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法律状态：

实质审查的生效

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-07-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-05-31	公开	公开
2008-07-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法 [P].

褚君浩 ;

孟祥建 ;

孙璟兰 .

中国专利 :CN1267654A ,2000-09-27

[2]

锆钛酸铅铁电薄膜的湿法刻蚀方法 [P].

褚家如 ;

郑可炉 ;

鲁健 .

中国专利 :CN1257538C ,2004-11-17

[3]

一种锆钛酸铅铁电薄膜的制备方法 [P].

孙喁喁 ;

陈源清 ;

郭巧琴 .

中国专利 :CN104557034B ,2015-04-29

[4]

一种锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法 [P].

张树人 ;

张洪伟 ;

黄文 ;

刘敬松 .

中国专利 :CN1851039A ,2006-10-25

[5]

BNdT铁电薄膜择优取向生长的制备方法 [P].

卢朝靖 ;

刘晓林 ;

陈晓琴 ;

李金华 ;

乔燕 .

中国专利 :CN1850722A ,2006-10-25

[6]

一种(020)择优取向钛酸铋薄膜的制备方法 [P].

柯华 ;

徐加焕 ;

王文 ;

陈林 ;

贾德昌 .

中国专利 :CN101376598B ,2009-03-04

[7]

一种具有(100)晶粒择优取向的锆钛酸铅薄膜及其制备方法 [P].

邹赫麟 ;

王兴 ;

韩梅 .

中国专利 :CN109761605A ,2019-05-17

[8]

具有(100)晶粒择优取向的锆钛酸铅厚膜的制备方法 [P].

任巍 ;

朱宛琳 ;

辛红 ;

史鹏 ;

吴小清 ;

陈晓峰 ;

姚熹 .

中国专利 :CN101717272B ,2010-06-02

[9]

一种锆钛酸铅铁电薄膜光电极及其制备方法 [P].

王雅琨 ;

刘明生 ;

王智杰 ;

曲胜春 ;

刘孔 ;

刘俊 ;

李燕 .

中国专利 :CN108754525A ,2018-11-06

[10]

一种图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法 [P].

李俊红 ;

汪承灏 ;

解述 .

中国专利 :CN101135865A ,2008-03-05

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