一种具有(100)晶粒择优取向的锆钛酸铅薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910204997.5

申请日：

2019-03-18

公开(公告)号：

CN109761605A

公开(公告)日：

2019-05-17

发明(设计)人：

邹赫麟王兴韩梅

申请人：

申请人地址：

116085 辽宁省大连市高新区广贤路131号4-410

IPC主分类号：

C04B35491

IPC分类号：

C04B35622 H01L4139 H01L41187

代理机构：

大连理工大学专利中心 21200

代理人：

温福雪

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/491 申请日:20190318
2019-05-17	公开	公开

共 50 条

[1]

具有(100)晶粒择优取向的锆钛酸铅厚膜的制备方法 [P].

任巍 ;

朱宛琳 ;

辛红 ;

史鹏 ;

吴小清 ;

陈晓峰 ;

姚熹 .

中国专利 :CN101717272B ,2010-06-02

[2]

一种具有(100)取向的掺钆锆钛酸铅薄膜及其制备方法 [P].

邹赫麟 ;

许文才 ;

李奇 ;

周毅 ;

王文强 ;

韩梅 .

中国专利 :CN108069715B ,2018-05-25

[3]

一种(100)择优取向和高介电常数的锆钛酸铅压电薄膜的制备方法 [P].

韩梅 ;

王力成 .

中国专利 :CN110092662B ,2019-08-06

[4]

一种锆钛酸铅薄膜及其制备方法 [P].

邹赫麟 ;

李奇 ;

王兴 ;

韩梅 ;

周毅 .

中国专利 :CN108727020A ,2018-11-02

[5]

一种(100)择优取向的PMN-PZT/PZT异质结构薄膜的制备方法 [P].

邹赫麟 ;

王兴 .

中国专利 :CN111081864A ,2020-04-28

[6]

控制锆钛酸铅铁电薄膜择优取向的方法 [P].

李建康 ;

闫仕农 .

中国专利 :CN1779926A ,2006-05-31

[7]

一种高性能锆钛酸铅压电薄膜底电极的制备方法 [P].

韩梅 ;

王兴 ;

王富安 ;

王力成 .

中国专利 :CN110112285A ,2019-08-09

[8]

一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法 [P].

王福平 ;

孙秋 ;

魏兆冬 ;

成海涛 ;

姜兆华 .

中国专利 :CN100432018C ,2007-10-10

[9]

一种锆钛酸铅薄膜的制备方法 [P].

王凤霞 ;

陈涛 ;

孙立宁 .

中国专利 :CN108517503A ,2018-09-11

[10]

一种制备锆钛酸铅薄膜的方法 [P].

仇萍荪 ;

丁爱丽 ;

何夕云 ;

罗维根 .

中国专利 :CN1092169C ,2000-08-16

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