一种(100)择优取向和高介电常数的锆钛酸铅压电薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910430894.0

申请日：

2019-05-22

公开(公告)号：

CN110092662B

公开(公告)日：

2019-08-06

发明(设计)人：

韩梅王力成

申请人：

申请人地址：

116085 辽宁省大连市高新区广贤路131号4-410

IPC主分类号：

C04B35491

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

辽宁鸿文知识产权代理有限公司 21102

代理人：

杨植

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-23	授权	授权
2019-08-06	公开	公开
2019-08-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/491 申请日:20190522

共 50 条

[1]

一种具有(100)晶粒择优取向的锆钛酸铅薄膜及其制备方法 [P].

邹赫麟 ;

王兴 ;

韩梅 .

中国专利 :CN109761605A ,2019-05-17

[2]

具有(100)晶粒择优取向的锆钛酸铅厚膜的制备方法 [P].

任巍 ;

朱宛琳 ;

辛红 ;

史鹏 ;

吴小清 ;

陈晓峰 ;

姚熹 .

中国专利 :CN101717272B ,2010-06-02

[3]

一种具有(100)取向的掺钆锆钛酸铅薄膜及其制备方法 [P].

邹赫麟 ;

许文才 ;

李奇 ;

周毅 ;

王文强 ;

韩梅 .

中国专利 :CN108069715B ,2018-05-25

[4]

一种高介电常数锆钛酸铅薄膜的制备方法 [P].

潘淼 ;

谢清来 ;

苏子生 ;

王锋 ;

周伯萌 ;

苏建志 .

中国专利 :CN116145094B ,2025-03-25

[5]

一种高性能锆钛酸铅压电薄膜底电极的制备方法 [P].

韩梅 ;

王兴 ;

王富安 ;

王力成 .

中国专利 :CN110112285A ,2019-08-09

[6]

一种锆钛酸铅薄膜及其制备方法 [P].

邹赫麟 ;

李奇 ;

王兴 ;

韩梅 ;

周毅 .

中国专利 :CN108727020A ,2018-11-02

[7]

一种(100)择优取向的PMN-PZT/PZT异质结构薄膜的制备方法 [P].

邹赫麟 ;

王兴 .

中国专利 :CN111081864A ,2020-04-28

[8]

高度择优取向钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电薄膜的制备方法 [P].

翟继卫 ;

李朋 ;

沈波 ;

李伟 .

中国专利 :CN104609856A ,2015-05-13

[9]

一种锆钛酸铅压电薄膜的制备方法 [P].

李明利 ;

纪松 ;

钱坤明 ;

张延松 ;

丁昂 .

中国专利 :CN103880420B ,2014-06-25

[10]

控制锆钛酸铅铁电薄膜择优取向的方法 [P].

李建康 ;

闫仕农 .

中国专利 :CN1779926A ,2006-05-31

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