一种a轴取向增强型AlN薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610633215.6

申请日：

2016-08-04

公开(公告)号：

CN106244984A

公开(公告)日：

2016-12-21

发明(设计)人：

杨成韬牛东伟唐佳琳胡现伟泰智薇

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

C23C1406

IPC分类号：

C23C1435 C23C1402 C23C1458

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

葛启函

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-21	公开	公开
2020-07-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/06 申请日:20160804 授权公告日:20180831 终止日期:20190804
2017-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101697762284 IPC(主分类):C23C 14/06 专利申请号:2016106332156 申请日:20160804
2018-08-31	授权	授权

共 50 条

[1]

一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉积方法 [P].

周灵平 ;

李智 ;

朱家俊 ;

彭坤 .

中国专利 :CN101824592A ,2010-09-08

[2]

一种择优取向的AlN压电薄膜及其制备方法 [P].

陈希明 ;

李福龙 ;

薛玉明 ;

朱宇清 ;

张倩 ;

阴聚乾 ;

郭燕 ;

孙连婕 .

中国专利 :CN103095244A ,2013-05-08

[3]

一种高c轴取向AlN薄膜及其制备方法与应用 [P].

曾飞 ;

傅肃磊 ;

潘峰 ;

李起 ;

王敏涓 .

中国专利 :CN106011759A ,2016-10-12

[4]

一种C轴垂直择优取向AlN压电薄膜及其制备方法 [P].

郑泽渔 ;

赵雪梅 .

中国专利 :CN112382718A ,2021-02-19

[5]

一种高取向AlN薄膜的制备方法 [P].

宋仁国 ;

李鑫伟 ;

祝斌 ;

王超 .

中国专利 :CN103014622A ,2013-04-03

[6]

一种AlN薄膜的制备方法 [P].

王文庆 .

中国专利 :CN106282915A ,2017-01-04

[7]

高c轴取向的ErAlN薄膜及其制备方法 [P].

杨成韬 ;

胡现伟 ;

牛东伟 ;

唐佳琳 ;

泰智薇 .

中国专利 :CN106756855A ,2017-05-31

[8]

一种AlN薄膜的制备方法 [P].

刘昌 ;

付秋明 ;

刘博 .

中国专利 :CN101335200B ,2008-12-31

[9]

一种AlN薄膜的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN115360272A ,2022-11-18

[10]

一种AlN薄膜的制备方法 [P].

梁晓平 ;

门阔 ;

刘皓 ;

连紫薇 ;

魏峰 ;

李洋 .

中国专利 :CN112877657A ,2021-06-01

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